[发明专利]极低位错密度氮化镓单晶及其助熔剂法生长方法有效
| 申请号： | 201810179912.8 | 申请日： | 2018-03-05 |
| 公开（公告）号： | CN110230102B | 公开（公告）日： | 2022-01-04 |
| 发明（设计）人： | 刘宗亮;徐科;任国强;王建峰 | 申请（专利权）人： | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
| 主分类号： | H01L21/205 | 分类号： | H01L21/205;C30B29/40;C30B9/12 |
| 代理公司： | 南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32256 | 代理人： | 王锋 |
| 地址： | 215123 江苏省苏州市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 低位 密度 氮化 镓单晶 及其 熔剂 生长 方法 | ||
1.一种助熔剂法生长极低位错密度氮化镓单晶的方法，其特征在于包括：
于氮化镓衬底上设置图形化掩膜；
以所述氮化镓衬底作为籽晶，利用液相外延方法生长获得低位错密度氮化镓单晶，所述低位错密度氮化镓单晶中的位错密度为104~106cm-2；
对所述低位错密度氮化镓单晶进行化学抛光处理后采用熔融KOH或熔融NaOH对所述低位错密度氮化镓单晶进行位错选择腐蚀，使得穿透位错区域形成深度为10~500μm的孔洞结构，而未被腐蚀区域为无穿透位错区域或低穿透位错区域，再采用蒸镀或旋涂方式对腐蚀区域进行填埋处理，获得包含有填埋物的氮化镓单晶，所述填埋物的材质选自金属和/或金属化合物，所述金属选自Ga或Al，所述金属化合物选自 GaCl3或AlCl3；以及
以包含有填埋物的氮化镓单晶作为籽晶，利用液相外延方法生长获得极低位错密度氮化镓单晶，所述极低位错密度氮化镓单晶中的位错密度为102~104cm-2。
2.根据权利要求1所述助熔剂法生长极低位错密度氮化镓单晶的方法，其特征在于：所述掩膜的材质选自Ti、Ni、TiO2或SiO2。
3.根据权利要求1所述助熔剂法生长极低位错密度氮化镓单晶的方法，其特征在于：所述掩膜的厚度为1~100μm。
4.根据权利要求1所述助熔剂法生长极低位错密度氮化镓单晶的方法，其特征在于：所述氮化镓衬底包括异质外延或同质外延氮化镓衬底。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
