[发明专利]晶片结合及剥离的方法

权利要求书

1.一种晶片结合及剥离的方法，其特征在于，包括以下步骤：

在基板或晶片上通过旋涂或卷对卷涂布工艺将复合材料涂覆于所述基板或晶片上并进行固化形成释放层，构成所述释放层的材质包含粘合剂，在真空环境中在受控的热或压力条件下物理地将所述基板和所述晶片粘合，且所述释放层位于所述基板和所述晶片之间，所述释放层的厚度为200nm～1000nm，所述释放成能够填补所述晶片一侧的凹凸部分；

对所述晶片远离所述释放层的表面进行加工；

将呈高斯分布的激光束整形为矩形平顶光束或线光束后，扫描所述释放层，使得在释放层所有被扫描到的区域所接收到的激光能量均匀，以将所述释放层完全分解，使得所述基板和所述晶片剥离，其中所述矩形平顶光束的截面尺寸为300μm*100μm；

所述激光束为紫外激光，所述释放层还包含有苯氧基树脂，所述释放层对紫外激光的吸收率大于或等于90％；

所述基板的厚度为300μm～600μm，所述基板对308nm和355nm波长的紫外激光的透过率可达95％以上。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述激光束的波长为308nm或355nm。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述基板的材质为玻璃。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，将呈高斯分布的激光束整形为矩形平顶光束或线光束的步骤包括：采用衍射光学元件或微透镜阵列，将呈高斯分布的光斑整形为矩形平顶光束或线光束。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，对晶片具体加工方式包括晶片厚度减薄加工，晶片背侧工艺以及晶片后侧形成硅直通。