[发明专利]图像传感器及传感器装置

权利要求书

1.一种图像传感器，包括以矩阵设置的多个像素，每个像素包括：

衬底；

第一TFT，所述第一TFT包括：设置在所述衬底上的第一栅电极、包括经由绝缘膜层叠在所述第一栅电极上方的氧化物半导体的第一半导体、层叠在所述第一半导体上的第一源电极和第一漏电极、以及设置在所述第一半导体上方的第二栅电极，其中，所述第一源电极电连接到所述第一栅电极，以及所述第一漏电极电连接到电源线；

第二TFT，所述第二TFT包括：在所述衬底上的由与所述第一栅电极相同的层构成的第三栅电极、包括经由所述绝缘膜层叠在所述第三栅电极上方并由与所述第一半导体相同的层构成的氧化物半导体的第二半导体、以及层叠在所述第二半导体上的第二源电极和第二漏电极，其中，所述第二漏电极电连接到所述第一栅电极，所述第二源电极电连接到信号线，以及所述第三栅电极电连接到第一控制线；以及

光电转换元件，所述光电转换元件包括：a-Si薄膜、电连接到所述a-Si薄膜的第一表面和所述第一TFT的所述第二栅电极的第一电极、以及连接到第二控制线的第二电极，并且所述光电转换元件以在层叠方向上叠置在所述第一TFT上的方式设置在所述第一TFT上方，其中，

设置位于所述第一TFT以及所述第二TFT与所述光电转换元件之间并防止氢气扩散到所述第一TFT和所述第二TFT的气体阻隔膜，

所述第一电极和所述第二栅电极由同一层构成，以及

在每个所述像素中所述气体阻隔膜未设置有开口。

2.根据权利要求1所述的图像传感器，其中，

所述第一源电极和所述第二漏电极由同一金属层制成，所述第一源电极通过设置在所述绝缘膜上的接触孔连接到所述第一栅电极。

3.根据权利要求1或2所述的图像传感器，其中，

所述第一电极和所述第二栅电极层叠在所述气体阻隔膜上。

4.一种图像传感器，包括以矩阵设置的多个像素，每个像素包括：

衬底；

第一TFT，所述第一TFT包括：包括经由绝缘膜层叠在所述衬底上方的氧化物半导体的第一半导体、层叠在所述第一半导体上的第一源电极和第一漏电极、以及设置在所述第一半导体上方的第一栅电极，其中，所述第一漏电极电连接到电源线；

第二TFT，所述第二TFT包括：设置在所述衬底上的第二栅电极、包括经由所述绝缘膜层叠在所述第二栅电极上方并由与所述第一半导体相同的层构成的氧化物半导体的第二半导体、以及层叠在所述第二半导体上的第二源电极和第二漏电极，其中，所述第二漏电极电连接到所述第一源电极，所述第二源电极电连接到信号线，以及所述第二栅电极电连接到第一控制线；以及

光电转换元件，所述光电转换元件包括：a-Si薄膜、电连接到所述a-Si薄膜的第一表面和所述第一TFT的所述第一栅电极的第一电极、以及连接到第二控制线的第二电极，并且所述光电转换元件以在层叠方向上叠置在所述第一TFT上的方式设置在所述第一TFT上方，其中，

设置位于所述第一TFT以及所述第二TFT与所述光电转换元件之间并防止氢气扩散到所述第一TFT和所述第二TFT的气体阻隔膜，

所述第一电极和所述第一栅电极由同一层构成，以及

在每个所述像素中所述气体阻隔膜未设置有开口。

5.根据权利要求4所述的图像传感器，其中，

所述第一电极和所述第一栅电极层叠在所述气体阻隔膜上。

6.根据权利要求4或5所述的图像传感器，其中，所述第一电极和所述第一栅电极在层叠方向上叠置在所述第一半导体、所述第一源电极以及所述第二漏电极上。

7.根据权利要求4或5所述的图像传感器，其中，所述第一电极和所述第一栅电极设置在层叠于所述第一半导体、所述第一源电极和所述第二漏电极上方的层间绝缘膜上。

8.根据权利要求1或4所述的图像传感器，其中，所述光电转换元件的所述第二电极层叠在所述a-Si薄膜的与所述第一表面相对的第二表面上。