[发明专利]一种基于无铅双钙钛矿薄膜的深紫外光探测器及制备方法

权利要求书

1.一种基于无铅双钙钛矿薄膜的深紫外光探测器，包括衬底（1），其特征在于：衬底（1）上设有n型电子传输层（2）、Cs₂AgBiBr₆光吸收层（3）、In接触电极（4）和Ag接触电极（5）；

所述n型电子传输层（2）为GaN或ZnO半导体材料。

2.根据权利要求1所述的基于无铅双钙钛矿薄膜的深紫外光探测器，其特征在于：所述衬底（1）为双面抛光的Al₂O₃衬底，衬底的厚度为300~400微米。

3.根据权利要求1所述的基于无铅双钙钛矿薄膜的深紫外光探测器，其特征在于：n型电子传输层（2）厚度为1.0~1.5微米，n型电子传输层（2）的电子浓度为2.0×10¹⁷~6.0×10¹⁷cm^-3。

4.根据权利要求1所述的基于无铅双钙钛矿薄膜的深紫外光探测器，其特征在于：Cs₂AgBiBr₆光吸收层（3）的厚度为350~500纳米。

5.一种基于无铅双钙钛矿薄膜的深紫外光探测器的制备方法，其特征在于是按照下述步骤进行的：

（1）清洗衬底（1）；

（2）在衬底（1）上沉积致密均匀的n型电子传输层（2），所述n型电子传输层（2）为GaN或ZnO半导体材料；

（3）配制CsBr、BiBr₃和AgBr的前驱体溶液；

（4）将前驱体溶液采用旋涂技术在n型电子传输层（2）上制备Cs₂AgBiBr₆光吸收层（3）；

（5）在制备好的光吸收层以及n型电子传输层（2）上蒸镀电极。

6.根据权利要求5所述的一种基于无铅双钙钛矿薄膜的深紫外光探测器的制备方法，其特征在于：所述步骤（2）中n型电子传输层（2）可采用溅射法或MOCVD法制备。

7.根据权利要求5所述的一种基于无铅双钙钛矿薄膜的深紫外光探测器的制备方法，其特征在于：所述步骤（3）中前驱体溶液的浓度为0.5摩尔每升。

8.根据权利要求7所述的一种基于无铅双钙钛矿薄膜的深紫外光探测器的制备方法，其特征在于所述步骤（4）是按照下述方式进行的：前驱体溶液的旋涂条件为低速500转每分钟，旋涂5秒，高速2000转每分钟，旋涂30秒；旋涂结束后，将旋涂后的样品放在真空箱中静置；然后将样品放入管式炉中进行退火处理。

9.根据权利要求8所述的基于无铅双钙钛矿薄膜的深紫外光探测器的制备方法，其特征在于：所述退火处理是在管式炉中进行285℃退火处理，退火氛围为空气，退火时间为5分钟。