[发明专利]LED器件外延结构及其制作方法在审
| 申请号： | 201810181170.2 | 申请日： | 2018-03-06 |
| 公开（公告）号： | CN108428773A | 公开（公告）日： | 2018-08-21 |
| 发明（设计）人： | 沈学如 | 申请（专利权）人： | 澳洋集团有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/14 | 分类号： | H01L33/14;H01L33/06;H01L33/32;H01L33/00 |
| 代理公司： | 苏州市港澄专利代理事务所(普通合伙) 32304 | 代理人： | 马丽丽 |
| 地址： | 215600 江苏省苏州市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 电子阻挡层 阻挡层 外延结构 渐变 空穴 量子阱有源区 多量子阱层 极化效应 量子阱层 依次叠加 约束能力 未掺杂 衬底 减小 制作 申请 | ||
1.一种LED器件外延结构，其特征在于，包括依次形成于衬底上的未掺杂的GaN层、n型掺杂的GaN层、多量子阱层、电子阻挡层和p型掺杂的GaN层，所述电子阻挡层包括依次叠加的第一阻挡层和第二阻挡层，所述第一阻挡层为Al组分自下向上渐变增加的AlxGa1-xN层，0＜x≤0.15，所述第二阻挡层为Al0.15Ga0.85N层。
2.根据权利要求1所述的LED器件外延结构，其特征在于，所述多量子阱层为InGaN/GaN多量子阱层。
3.根据权利要求1所述的LED器件外延结构，其特征在于，所述多量子阱层由2～10对InGaN层与GaN层依次堆叠组成。
4.根据权利要求3所述的LED器件外延结构，其特征在于，所述多量子阱层中每层InGaN层的厚度为6nm，每层GaN层的厚度为10nm。
5.根据权利要求1所述的LED器件外延结构，其特征在于，所述n型掺杂的GaN层和多量子阱层之间设置有应力释放层。
6.根据权利要求5所述的LED器件外延结构，其特征在于，所述应力释放层为超晶格结构，所述应力释放层的每个周期包括InxGa1-xN层和生长在所述InxGa1-xN层之上的GaN层，0<x＜y。
7.根据权利要求1所述的LED器件外延结构，其特征在于，所述第一阻挡层的厚度为15nm。
8.根据权利要求1所述的LED器件外延结构，其特征在于，所述第二阻挡层的厚度为5nm。
9.根据权利要求1所述的LED器件外延结构，其特征在于，所述衬底为蓝宝石。
10.权利要求1至9任一所述的LED器件外延结构的制作方法，其特征在于，包括：
(1)、提供蓝宝石衬底；
(2)、采用MOCVD设备，在500℃的温度下，在蓝宝石衬底上依次生长未掺杂的GaN层和n型掺杂的GaN层；
(3)、在温度为700℃～800℃生长InGaN/GaN多量子阱层，周期数为2～10；
(4)、在温度700℃～900℃，生长电子阻挡层；
(5)、在温度1000℃，生长p型掺杂的GaN层。
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