[发明专利]一种背景音乐主机的充电管理系统在审

专利信息
申请号: 201810181496.5 申请日: 2018-03-06
公开(公告)号: CN108257622A 公开(公告)日: 2018-07-06
发明(设计)人: 李远程;杜旭辉;黄晓玲 申请(专利权)人: 宁波向往智能科技有限公司
主分类号: G11B19/02 分类号: G11B19/02;H01M10/42;H02J7/00
代理公司: 宁波诚源专利事务所有限公司 33102 代理人: 袁忠卫
地址: 315000 浙江省宁波*** 国省代码: 浙江;33
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摘要:
搜索关键词: 串口模块 控制面板 功放装置 开关电路 背景音乐 主控芯片 主机 充电管理系统 断电状态 充电 电耗 充电问题 充电状态 电量输出 使用寿命 有效解决 可动 电池 输出
【权利要求书】:

1.一种背景音乐主机的充电管理系统,包括功放装置及控制面板,所述控制面板包括第一串口模块,功放装置包括第二串口模块,第一串口模块与第二串口模块可动对接,所述功放装置通过第一、第二串口模块给控制面板充电,其特征在于:所述功放装置还包括有根据控制面板的电量输出不同的信号进而控制第二串口模块充断电状态的主控芯片以及开关电路,主控芯片连接开关电路后与第二串口模块相连接。

2.根据权利要求1所述的充电管理系统,其特征在于:所述主控芯片设有连接开关电路的管脚PD4,当主控芯片确定需要给控制面板充电时,管脚PD4输出高电平,开关电路输出5V电源,第二串口模块处于充电状态;当主控芯片确定不需要给控制面板充电时,管脚PD4输出低电平,开关电路输出0V电源,第二串口模块处于断电状态,控制面板不能充电。

3.根据权利要求2所述的充电管理系统,其特征在于:所述开关电路包括N沟道耗尽型MOS场效应管Q1及P沟道耗尽型MOS场效应管Q2,场效应管Q1的G级和S级之间依次连接有电阻R1、稳压二极管D1及稳压二极管D2,其中稳压二极管D1、稳压二极管D2反向串联,场效应管Q1的S级和D级之间连接有二极管D3,场效应管Q1的G级连接电阻R1后连接主控芯片的管脚PD4,管脚PD4同时连接电阻R2后接地,场效应管Q1的S级同时接地,场效应管Q1的D级同时和场效应管Q2的G级连接,场效应管Q2的S级和场效应管Q1的D级之间连接有并联的电阻R3和电容C1,场效应管Q2的D级和S级之间连接有二极管D4,场效应管Q2的S级接5V电源并连接电容C2后接地,场效应管Q2的D级接第二串口模块并连接电容C3后接地。

4.根据权利要求3所述的充电管理系统,其特征在于:所述开关电路还包括P沟道耗尽型MOS场效应管Q3,场效应管Q3的S级连接5V电源,场效应管Q3的G级连接场效应管Q1的D级,场效应管Q3的D级和S级之间连接有二极管D5,场效应管Q3的D级接第二串口模块。

5.根据权利要求1或4所述的充电管理系统,其特征在于:所述功放装置还包括按键电路,所述主控芯片设有与按键电路连接的管脚PB4,用户可通过操作按键电路来控制第二串口模块的充断电状态。

6.根据权利要求5所述的充电管理系统,其特征在于:所述按键电路包括按键J1、电阻R4及电容C4,电阻R4一端接3.3V电源,另一端和电容C4连接,电容C4另一端接地,按键J1一端接地,另一端连接与电阻R4和电容C4之间并连接主控芯片的管脚PB4。

7.根据权利要求6所述的充电管理系统,其特征在于:所述主控芯片设有与第二串口模块连接的管脚PA3,主控芯片根据管脚PA3的信号,判断目前第一、第二串口模块的对接状态。

8.根据权利要求7所述的充电管理系统,其特征在于:当所述主控芯片的管脚PA3为高电平时,即第一、第二串口模块对接时,主控芯片读取所述控制面板的电量,若电量小于等于30%,管脚PD4输出高电平,给控制面板充电;若电量大于30%小于100%,用户控制按键J1来确定是否给控制面板充电,用户按下按键J1时,管脚PD4输出高电平,给控制面板充电,反之则不充电;若电量等于100%,管脚PD4输出低电平,不给控制面板充电;当管脚PA3为低电平时,即第一、第二串口模块拔离时,主控芯片管脚PD4输出高电平,等待给控制面板充电。

9.根据权利要求8所述的充电管理系统,其特征在于:所述控制面板和功放设备通讯过程中增加心跳包,根据心跳包来确定所述控制面板和功放设备的连接情况。

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