[发明专利]用于PET的优化闪烁体晶体

权利要求书

1.一种用于核扫描器的辐射探测器阵列，包括：

闪烁体晶体(10)的至少一个阵列，每个晶体(10)具有至少一个经处理的表面(16)，所述表面通过粗糙化被处理以散射入射光；

镜面反射体层(30)，其直接包裹每个闪烁体晶体；以及

至少一个光探测器(32)，其被耦合到每个阵列，

其中所述镜面反射体层被优化以反射处在涵盖所述闪烁体晶体的峰值光输出波长的范围内的光，并且

其中所述至少一个经处理的表面包括所述闪烁体晶体的四个侧面中的至少一个。

2.根据权利要求1所述的探测器阵列，其中，所述闪烁体晶体包括以下中的一种或多种：

硅酸镥钇(LYSO)晶体；

硅酸镥(LSO)晶体；

硅酸镥钆(LGSO)晶体；

硅酸镥钆钇(LGYSO)晶体；以及

溴化镧(LaBr)晶体。

3.根据前述权利要求中任一项所述的探测器阵列，其中，所述光探测器为硅光电倍增器(SiPM)设备。

4.根据前述权利要求中任一项所述的探测器阵列，其中，所述闪烁体晶体具有第一面、第二面以及四个侧面，所述第一面被光学耦合到所述光探测器，所述第二面与所述第一面相对并且被设置为朝向待检查的对象，并且其中，每个侧面具有长度和宽度，所述长度在所述第一面与所述第二面之间，所述长度为所述宽度的至少2.5倍。

5.根据前述权利要求中任一项所述的探测器阵列，其中，所述至少一个经粗糙化的侧面为所述晶体的被光学耦合到所述光探测器的侧面。

6.根据前述权利要求中任一项所述的探测器阵列，其中，所述晶体的所述至少一个经粗糙化的侧面为所述晶体的长侧，所述长侧为毗邻辐射接收侧的侧面和被光学耦合到所述光探测器的侧面。

7.根据前述权利要求中任一项所述的探测器阵列，其中，所述至少一个经粗糙化的侧面(16)的粗糙度大致等于通过利用150粒度砂纸磨砂得到的粗糙度。

8.一种核扫描器，包括：

根据权利要求1至7中任一项所述的辐射探测器阵列；

重建处理器，其将来自所述光探测器的输出信号重建成图像；以及

显示设备，其显示所重建的图像。

9.一种增强探测器阵列中的光探测的方法，包括：

粗糙化多个预制抛光闪烁体晶体中每个的至少一侧；

向经粗糙化的晶体直接施加镜面反射体层；

将所述晶体布置在阵列中；

将多个阵列中的每个光学耦合到光探测器的阵列，以形成探测器阵列；并且

将所述探测器阵列安装在探测器模块中，

其中所述镜面反射体层被优化以反射处在涵盖所述闪烁体晶体的峰值光输出波长的范围内的光，并且

其中所述至少一侧包括所述闪烁体晶体的四个侧面中的至少一个。

10.根据权利要求9所述的方法，其中，所述闪烁体晶体包括以下中的一种或多种：

硅酸镥钇(LYSO)晶体；

硅酸镥(LSO)晶体；

硅酸镥钆(LGSO)晶体；

硅酸镥钆钇(LGYSO)晶体；以及

溴化镧(LaBr)晶体。

11.根据权利要求9至10中任一项所述的方法，其中，粗糙化多个预制抛光闪烁体晶体中每个的至少一侧包括以下中的至少一种：

湿法砂磨每个晶体的所述至少一侧；

干法砂磨每个晶体的所述至少一侧；

喷砂每个晶体的所述至少一侧；

磨削每个晶体的所述至少一侧；

将每个晶体的所述至少一侧暴露于磨砂剂；以及

将额外的晶体材料喷溅到每个晶体的所述至少一侧上。