[发明专利]用于EUV光刻的防护膜及其制造方法

权利要求书

1.一种极紫外(EUV)光刻用防护膜，该防护膜包括：

支撑层图案；

形成在所述支撑层图案上的埋入式氧化物层图案；

设置为由所述埋入式氧化物层图案支撑的防护膜层；

设置在所述防护膜层上并增强所述防护膜层的机械强度的增强层；和

设置在所述防护膜层的上侧、下侧或两侧的散热层。

2.一种极紫外(EUV)光刻用防护膜，该防护膜包括：

支撑层图案；

形成在所述支撑层图案上的埋入式氧化物层图案；

设置为由所述埋入式氧化物层图案支撑的埋入式增强层；

设置在所述埋入式增强层上的防护膜层；和

设置在所述防护膜层的上侧、下侧或两侧的散热层。

3.一种极紫外(EUV)光刻用防护膜，该防护膜包括：

支撑层图案；

形成在所述支撑层图案上的埋入式氧化物层图案；

设置为由所述埋入式氧化物层图案支撑的埋入式增强层；

设置在所述埋入式增强层上的防护膜层；

设置在所述防护膜层上并增强所述防护膜层的机械强度的增强层；和

设置在所述防护膜层的上侧、下侧或两侧的散热层。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的防护膜，其中所述散热层形成为单层膜，或者由两层以上构成的多层膜。

5.根据权利要求1至3中任一项所述的防护膜，其中所述散热层包含：铬(Cr)，氮化铬(CrN)，铝(Al)，氧化铝(Al₂O₃)，钴(Co)，钨(W)，钼(Mo)，钒(V)，钯(Pd)，钛(Ti)，铂(Pt)，锰(Mn)，铁(Fe)，镍(Ni)，镉(Cd)，锆(Zr)，镁(Mg)，锂(Li)，硒(Se)，铜(Cu)，钇(Y)，铟(In)，锡(Sn)，硼(B)，铍(Be)，钽(Ta)，铪(Hf)，铌(Nb)，硅(Si)，钌(Ru)，含有Ru以及B、Zr、Y、Nb、Ti、La的钌化合物，B₄C和SiC中的至少一种物质；或除了上述物质之外，还含有含硅(Si)的硅化物。

6.根据权利要求1至3中任一项所述的防护膜，其中所述散热层的厚度为1nm至20nm。

7.根据权利要求1或3所述的防护膜，其中所述增强层包含：铬(Cr)，氮化铬(CrN)，铝(Al)，氧化铝(Al₂O₃)，钴(Co)，钨(W)，钼(Mo)，钒(V)，钯(Pd)，钛(Ti)，铂(Pt)，锰(Mn)，铁(Fe)，镍(Ni)，镉(Cd)，锆(Zr)，镁(Mg)，锂(Li)，硒(Se)，铜(Cu)，钇(Y)，铟(In)，锡(Sn)，硼(B)，铍(Be)，钽(Ta)，铪(Hf)，铌(Nb)，硅(Si)，钌(Ru)，含有Ru以及B、Zr、Y、Nb、Ti、La的钌化合物，B₄C，SiC，SiO₂，Si_xN_y、x和y是整数，石墨烯和碳纳米管(CNT)中的至少一种物质；或除了上述物质之外，还含有含硅(Si)的硅化物。

8.根据权利要求1或3所述的防护膜，其中所述增强层的厚度为1nm至50nm。

9.根据权利要求1至3中任一项所述的防护膜，其中所述防护膜层包含单晶硅、多晶硅或非晶硅。

10.根据权利要求1至3中任一项所述的防护膜，其中所述防护膜层掺杂有硼(B)、磷(P)、砷(As)、钇(Y)、锆(Zr)、铌(Nb)和钼(Mo)中的一种或多种物质。

11.根据权利要求10所述的防护膜，其中所述防护膜层的掺杂浓度等于或高于10¹⁰离子/cm³。