[发明专利]半导体封装装置及其制造方法

说明书

本公开揭示一种半导体封装装置，其包含载体、第一电子组件，及在所述载体上的导电元件。所述第一电子组件在所述载体上方。所述导电元件在所述载体上且将所述第一电子组件电连接到所述载体。所述导电元件包含至少一个导电颗粒及覆盖所述导电颗粒的焊料材料，且所述导电颗粒包含金属芯、覆盖所述金属芯的阻挡层，以及覆盖所述阻挡层的金属层。

技术领域

本公开大体来说涉及半导体封装装置及其制造方法。更特定来说，本公开涉及包含导电柱的半导体封装装置及其制造方法。

背景技术

导电柱广泛用于裸片与衬底之间或衬底与另一衬底之间的互连。在类似技术中，导电柱通常通过电镀形成。然而，电镀技术增加用于制造导电柱的成本及时间。

发明内容

在一或多个实施例中，导电颗粒包含金属芯、阻挡层、第一导电层及第二导电层。所述阻挡层环绕所述金属芯。所述第一导电层环绕所述阻挡层。所述第二导电层环绕所述第一导电层。

在一或多个实施例中，半导体封装装置包含载体、第一电子组件，及在所述载体上的导电元件。所述第一电子组件在所述载体上方。所述导电元件在所述载体上且将所述第一电子组件电连接到所述载体。所述导电元件包含至少一个导电颗粒及覆盖所述导电颗粒的焊料材料，且所述导电颗粒包含金属芯、覆盖所述金属芯的阻挡层，以及覆盖所述阻挡层的金属层。

在一或多个实施例中，半导体装置封装包含载体及导电元件。所述载体具有第一表面且包含在所述载体的所述第一表面上的导电垫。导电元件包含由焊料材料环绕的多个导电颗粒，且所述导电元件安置在所述载体的所述导电垫上，其中所述导电元件的部分被所述导电垫覆盖。

在一或多个实施例中，半导体装置封装包含电子组件、导电元件及第一封装主体。所述导电元件在所述电子组件上，且所述导电元件具有侧表面及在所述侧表面上的多个凹部。所述第一封装主体囊封所述导电元件且延伸到所述凹部中。

在一或多个实施例中，制造半导体封装的方法包含：提供RDL；将绝缘层安置在所述RDL上，所述绝缘层具有开口；及通过将包含至少一个导电颗粒的糊料(paste)填充到所述开口中来安置导电元件，其中所述导电颗粒包含囊封金属芯的焊料层。

附图说明

当与附图一起阅读时可从以下详细描述最佳理解本公开的方面。应注意，各种特征可能未按比例绘制，且各种特征的尺寸可出于论述的清楚起见而任意增大或减小。

图1A说明根据本公开的一些实施例的半导体封装装置的横截面图。

图1B说明根据本公开的一些实施例的如图1A中所展示的导电柱的内部结构；

图1C说明由图1A中的虚线框A围绕的半导体封装装置的部分的放大图；

图1D说明由图1A中的虚线框A围绕的半导体封装装置的部分的放大图；

图2A、图2B、图2C、图2D、图2E、图2F、图2G及图2H为根据本公开的一些实施例的在各种阶段制造的半导体结构的横截面图；

图3A说明根据本公开的一些实施例的图2B中所展示的糊料的成分；

图3B说明根据本公开的一些实施例的如图3A中所展示的导电颗粒的放大图；

图3C说明根据本公开的一些实施例的如图3A中所展示的导电颗粒的放大图；

图3D说明根据本公开的一些实施例的如图3A中所展示的导电颗粒的放大图；

图4A、图4B及图4C说明根据本公开的一些实施例的不同类型的导电柱；

图5说明根据本公开的一些实施例的半导体封装装置的横截面图；

图6说明根据本公开的一些实施例的半导体封装装置的横截面图；