[发明专利]半导体封装装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体封装装置，其包括：

第一介电层，其具有第一表面及与所述第一表面相对的第二表面，所述第一介电层界定从所述第一表面朝向所述第二表面渐缩的第一开口；

第一导电垫，其在所述第一开口内且邻近于所述第一介电层的所述第二表面；

第一导电元件，其中所述第一导电元件的至少一部分安置在所述第一开口内，且所述第一导电元件与所述第一开口的侧壁接合，所述第一导电元件具有面向所述第一导电垫的第一表面，其中所述第一导电元件的所述第一表面与所述第一导电垫隔开。

2.根据权利要求1所述的半导体封装装置，其中

所述导电元件进一步包含第一部分及第二部分；

所述导电元件的所述第二部分与所述第一开口的所述侧壁接合；且

所述第一导电元件的所述第一部分及所述第二部分包括不同材料。

3.根据权利要求2所述的半导体封装装置，其中

所述第一导电垫包括第一部分及覆盖所述第一部分的第二部分；且

所述第一导电垫的所述第一部分及所述第二部分包括不同材料。

4.根据权利要求3所述的半导体封装装置，其进一步包括在所述第一导电元件与所述第一导电垫之间的第一焊料层，其中所述第一焊料层包括邻近于所述第一导电元件的所述第二部分的第一部分、邻近于所述第一导电垫的所述第二部分的第二部分，及第三部分。

5.根据权利要求4所述的半导体封装装置，其中

所述第一焊料层的所述第一部分及所述第一导电元件的所述第二部分形成第一金属间化合物IMC层；

所述第一焊料层的所述第二部分及所述第一导电垫的所述第二部分形成第二IMC层；且

所述第一导电元件的所述第一表面与所述第一导电垫之间的距离大于所述第一金属间化合物IMC层的厚度与所述第二IMC层的厚度的和的一半。

6.根据权利要求5所述的半导体封装装置，其中所述第一金属间化合物IMC层接触所述第二IMC层。

7.根据权利要求4所述的半导体封装装置，其进一步包括：

载体，其具有第一表面，所述第一介电层及所述第一导电垫安置在所述第一表面上，其中所述第一介电层的所述第二表面面向所述载体；及

第一电子组件，其在所述第一介电层上，所述第一电子组件具有面向所述第一介电层的第一表面及与所述第一表面相对的第二表面，其中所述第一电子组件的所述第一表面电连接到所述第一导电元件。

8.根据权利要求7所述的半导体封装装置，其进一步包括：

第二导电垫，其在所述第一电子组件的所述第二表面上；

第二介电层，其在所述第一电子组件的所述第二表面上，所述第二介电层界定朝向所述第一电子组件的所述第二表面渐缩以暴露所述第二导电垫的第二开口；及

第二导电元件，其中所述第二导电元件的至少一部分在所述第二开口内，且所述第二导电元件与所述第二开口的侧壁接合，所述第二导电元件具有面向所述第二导电垫的第一表面。

9.根据权利要求8所述的半导体封装装置，其中所述第一导电元件的所述第一表面与所述第一导电垫之间的距离小于所述第二导电元件的所述第一表面与所述第二导电垫之间的距离。

10.根据权利要求8所述的半导体封装装置，其中所述第一导电垫的厚度大于所述第二导电垫的厚度。

11.根据权利要求10所述的半导体封装装置，其进一步包括在所述载体的与所述第一表面相对的第二表面上的第三导电垫，其中所述第三导电垫的厚度小于所述第一导电垫的所述厚度或所述第二导电垫的所述厚度。