[发明专利]自带熔体搅拌功能的晶体生长装置

权利要求书

1.一种自带熔体搅拌功能的晶体生长装置，包括感应线圈(1)、保温层(2)、感应发热体(3)、原料(4)、坩埚(5)和坩埚支柱(6)，其特征在于，所述的坩埚(5)内设有搅拌原料(4)的搅拌器(7)。

2.根据权利要求1所述的一种自带熔体搅拌功能的晶体生长装置，其特征在于，所述的搅拌器(7)的旋转速率2-10转/分钟，搅拌时间为30-60分钟。

3.根据权利要求1所述的一种自带熔体搅拌功能的晶体生长装置，其特征在于，所述的坩埚(5)设置在可旋转的坩埚支柱(6)上，通过坩埚支柱(6)的旋转带动坩埚(5)旋转，旋转速度为2-5转/分钟。

4.根据权利要求3所述的一种自带熔体搅拌功能的晶体生长装置，其特征在于，所述的坩埚支柱(6)可上下移动，通过坩埚支柱(6)带动坩埚(5)在保温层内上下移动，调节坩埚(5)与感应发热体(3)之间的距离。

5.根据权利要求1所述的一种自带熔体搅拌功能的晶体生长装置，其特征在于，所述的保温层(2)的厚度在15mm—40mm。

6.根据权利要求1所述的一种自带熔体搅拌功能的晶体生长装置，其特征在于，所述的感应线圈(1)设置在保温层(2)外侧，且距离保温层(2)5-10mm。

7.根据权利要求1所述的一种自带熔体搅拌功能的晶体生长装置，其特征在于，所述的感应线圈(1)为7-12匝线圈，感应频率为2kHz—15kHz。

8.根据权利要求1所述的一种自带熔体搅拌功能的晶体生长装置，其特征在于，所述的感应发热体(3)的材质为钨、钼、石墨、铱或铼；

所述的保温层(2)的材料为石墨毡、碳毡、氧化锆、氧化铝或石英；

所述的搅拌器(7)的材质为高纯石墨棒。

9.根据权利要求1所述的一种自带熔体搅拌功能的晶体生长装置，其特征在于，在长晶过程中，通过调节感应发热体(3)的功率，或者坩埚(5)与感应发热体(3)之间的位置，来控制晶体生长，坩埚(5)下降速率为0.1-1mm/h，功率下降速率为10-100w/h。

10.根据权利要求1所述的一种自带熔体搅拌功能的晶体生长装置，其特征在于，所述的保温层内充入高纯Ar气作为保温气氛，炉内压强保持1个大气压。