[发明专利]一种利用晶硅废砂浆制备碳化硅多孔陶瓷的方法

权利要求书

1.一种利用晶硅废砂浆制备碳化硅多孔陶瓷的方法，其特征在于包括如下步骤：

(1)对晶硅废砂浆固体废料进行预处理，得到预处理后的固体废料；

(2)向预处理后的固体废料中加入造孔剂、烧结助剂、催化剂，再经球磨混料、过筛，得到原料粉体；

(3)向原料粉体中加入成型剂，混合均匀后置于模具中加压成型，干燥脱脂后得到多孔陶瓷生坯；

(4)将多孔陶瓷生坯置于烧结炉中，在空气气氛下无压烧结，得到碳化硅多孔陶瓷制品；

所述催化剂为三氧化钼粉；所述催化剂加入量占原料粉体质量分数的0 .5％～6％；

所述烧结助剂为氧化铝粉，其加入量占原料粉体质量分数的20％～35％；

步骤(4)中所述烧结的工艺条件为：先升温至500～800℃保温1～2h去除造孔剂，然后升温至850～1000℃进行多孔陶瓷烧结，保温时间为2～5h，所述升温速率为2～10℃/min；

所述预处理后的固体废料中所含成分的质量分数为：碳化硅大于等于90％，硅小于等于10％。

2.根据权利要求1所述的一种利用晶硅废砂浆制备碳化硅多孔陶瓷的方法，其特征在于步骤(1)中所述预处理方法为：将晶硅废砂浆固体废料依次经盐酸溶液除铁、水洗和干燥。

3.根据权利要求1所述的一种利用晶硅废砂浆制备碳化硅多孔陶瓷的方法，其特征在于：步骤(2)中所述造孔剂为活性炭粉，其加入量占原料粉体质量分数的15％～20％。

4.根据权利要求1所述的一种利用晶硅废砂浆制备碳化硅多孔陶瓷的方法，其特征在于所述球磨混料的条件为：球料比为(8～10):1，球磨混合时间为10～40h。

5.根据权利要求1所述的一种利用晶硅废砂浆制备碳化硅多孔陶瓷的方法，其特征在于：步骤(3)中所述成型剂为羧甲基纤维素钠溶液，其加入量为原料粉体质量分数的1％～5％。

6.根据权利要求1所述的一种利用晶硅废砂浆制备碳化硅多孔陶瓷的方法，其特征在于：步骤(3)中所述干燥脱脂的温度为110～120℃，时间12～24h。