[发明专利]一种二维超薄LED及其制备方法

权利要求书

1.一种二维LED，其特征在于，包括：

衬底；

衬底上的有源层，所述有源层为n型或p型掺杂的二维半导体层，二维半导体层为原子层的半导体材料，所述有源层为掺Mg的p型六方氮化硼；

所述有源层上的势垒绝缘层，所述势垒绝缘层为二维材料层，所述二维材料层的层数少于10层；

所述势垒绝缘层上的电子注入层，所述电子注入层允许所述有源层产生的光线透过；

与所述有源层电连接的第一电极，以及与所述电子注入层电连接的第二电极。

2.根据权利要求1所述的二维LED，其特征在于，所述衬底为蓝宝石衬底或柔性PET、PI、PDMS薄膜。

3.根据权利要求1所述的二维LED，其特征在于，所述衬底为n型或p型半导体衬底，所述第一电极位于与所述有源层相对的衬底表面上。

4.根据权利要求1所述的二维LED，其特征在于，所述势垒绝缘层的二维材料包括：二维六方氮化硼、二维二硫化钼、二维二硒化钼、二维二硫化钨、二维硫化锡、二维硅烯、锗烯或黑磷中的一种或多种。

5.根据权利要求1所述的二维LED，其特征在于，所述电子注入层为掺铟氧化锡、银纳米线、铜纳米线、合金纳米线、石墨烯或碳纳米管中的一种或多种。

6.根据权利要求1所述的二维LED，其特征在于，所述第一电极为欧姆电极。

7.一种二维LED的制造方法，其特征在于，包括：

分别生长有源层以及势垒绝缘层，所述有源层为n型或p型掺杂的二维半导体层，所述势垒绝缘层为二维材料层；

将所述有源层转移至衬底上，二维半导体层为原子层的半导体材料，所述有源层为掺Mg的p型六方氮化硼；

将所述势垒绝缘层转移至所述有源层上，所述二维材料层的层数少于10层；

在所述势垒绝缘层上形成电子注入层，所述电子注入层或所述衬底允许所述有源层产生的光线透过；

形成与所述有源层电连接的第一电极，以及与所述电子注入层电连接的第二电极。

8.根据权利要求7所述的制造方法，其特征在于，所述势垒绝缘层的二维材料包括：二维六方氮化硼、二维二硫化钼、二维二硒化钼、二维二硫化钨、二维硫化锡、二维硅烯、锗烯或黑磷中的一种或多种。