[发明专利]存储器系统及其操作方法有效

专利信息
申请号: 201810186786.9 申请日: 2018-03-07
公开(公告)号: CN109273029B 公开(公告)日: 2022-07-26
发明(设计)人: 金敏基 申请(专利权)人: 爱思开海力士有限公司
主分类号: G11C7/10 分类号: G11C7/10;G11C7/22
代理公司: 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 代理人: 张晶;崔龙铉
地址: 韩国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 存储器 系统 及其 操作方法
【说明书】:

本发明提供一种存储器系统及其操作方法。存储器系统可包括:存储器控制器;以及通过多个通道联接到存储器控制器的多个存储器装置。存储器控制器可包括:功耗测量单元,其被配置成以预定时间段的间隔测量存储器系统的功耗并基于所测量的功耗生成第一信号;以及性能调节控制单元,其被配置成响应于第一信号执行改变存储器系统的性能的操作。性能调节控制单元可被配置成在预定时间段内多次执行改变存储器系统的性能的操作。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2017年7月17日提交的申请号为10-2017-0090345的韩国专利申请的优先权,其全部内容通过引用并入本文。

技术领域

本公开的各个实施例总体涉及一种存储器系统。特别地,实施例涉及一种能够优化地控制其性能和温度的存储器系统。

背景技术

半导体存储器装置可被分为易失性半导体存储器装置和非易失性半导体存储器装置。易失性半导体存储器装置的优点在于可高速执行读取操作和写入操作,而其劣势在于当电力供应中断时会丢失所存储的信息。相反地,即使电力供应中断,非易失性半导体存储器装置也可保持存储在其中的信息。因此,非易失性半导体存储器装置被用于存储无论是否供电都需被保持的信息。

非易失性半导体存储器装置的示例可包括掩模只读存储器(MROM)、可编程只读存储器(PROM)、可擦除可编程只读存储器(EPROM)、电可擦除可编程只读存储器(EEPROM)等。

非易失性半导体存储器装置的示例可包括闪速存储器装置。闪速存储器装置已被广泛地用作诸如以下的电子装置的音频和视频数据存储介质:计算机、移动电话、个人数字助理(PDA)、数码相机、便携式摄像机、录音机、MP3播放器、手持式个人计算机(PC)、游戏机、传真机、扫描仪和打印机。

近来,随着对高集成度存储器装置的需求增加,多个位存储在单个存储器单元中的多位闪速存储器装置已经普及。

当前的非易失性存储器系统通常配备有性能调节功能。该性能调节功能降低存储器系统的性能,以降低存储器系统的功耗或降低存储器系统的温度。该功能主要用于使存储器系统保护其系统本身不超过表示允许功耗的功率阈值。

然而,性能调节功能可能会偶尔成为过度劣化存储器系统的性能的因素。

发明内容

本公开的各个实施例涉及一种存储器系统及操作该存储器系统的方法,其可以优化存储器系统的温度和性能。

本公开的实施例可提供一种存储器系统。存储器系统可包括存储器控制器和通过多个通道联接到存储器控制器的多个存储器装置,其中存储器控制器可包括:功耗测量单元,其被配置成以预定时间段的间隔测量存储器系统的功耗并基于所测量的功耗生成第一信号;以及性能调节控制单元,其被配置成响应于第一信号执行改变存储器系统的性能的操作,其中性能调节控制单元被配置成在预定时间段内多次执行改变存储器系统的性能的操作。

本公开的实施例可提供一种存储器系统。存储器系统可包括存储器控制器和通过多个通道联接到存储器控制器的多个存储器管芯,其中存储器控制器可包括:温度测量单元,其被配置成以预定时间段的间隔测量存储器系统的温度并基于所测量的温度来调整存储器系统的目标性能;以及激活管芯数量控制单元,其被配置成响应于目标性能来执行改变存储器管芯之中的激活存储器管芯的数量的操作。激活管芯数量控制单元可被配置成在预定时间段内多次执行改变激活存储器管芯的数量的操作。

本公开的实施例可提供一种操作存储器系统的方法。方法可包括以预定时间段的间隔测量温度,基于温度测量的结果以预定时间段的间隔调整目标性能,以及基于目标性能执行控制激活存储器管芯的数量的操作,其中控制激活存储器管芯的数量的操作在预定时间段内被执行多次。

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