[发明专利]连接结构及其制造方法、半导体器件

权利要求书

1.一种连接结构的制造方法，其特征在于，包括：

提供一基底，所述基底上形成有一第一介质层；

形成多个规则排列的凹槽在所述第一介质层内，并且在所述凹槽内填充有金属材料，以形成多个金属凸块；

形成一第二介质层在所述基底的所述第一介质层及所述金属凸块上，并且在所述第二介质层中形成有多个开口，所述开口暴露出所述金属凸块；

填充一导电层在所述开口内，所述导电层与所述金属凸块连接；

去除所述基底，并利用所述金属凸块、所述第一介质层、所述第二介质层和所述导电层构成子连接结构；以及

形成多个依次堆叠的所述子连接结构，下层的子连接结构中的导电层与位于其上方的相邻子连接结构中的金属凸块相连接形成所述连接结构。

2.如权利要求1所述的连接结构的制造方法，其特征在于，在形成所述第一介质层之前，在所述基底上形成一牺牲层；所述凹槽形成于包含所述第一介质层与所述牺牲层的迭层结构中，所述第一介质层的下表面用于定义所述子连接结构的贴合表面。

3.如权利要求2所述的连接结构的制造方法，其特征在于，在所述基底的上表面的基准面上，所述金属凸块的底面高于所述牺牲层的下表面，所述金属凸块的顶面与所述第一介质层的上表面位于同一高度位置。

4.如权利要求3所述的连接结构的制造方法，其特征在于，所述金属凸块的底面和部分侧面突出地外露于所述子连接结构的所述贴合表面。

5.如权利要求4所述的连接结构的制造方法，其特征在于，所述牺牲层的材质包括氧化硅，所述第一介质层与所述第二介质层的材质包括氮化硅。

6.如权利要求2所述的连接结构的制造方法，其特征在于，去除所述基底的步骤包括：

采用化学机械研磨的方法去除所述基底；以及，

采用湿法刻蚀去除所述牺牲层。

7.如权利要求6所述的连接结构的制造方法，其特征在于，所述湿法刻蚀中的刻蚀液包含氢氟酸。

8.如权利要求1所述的连接结构的制造方法，其特征在于，当形成所述开口，所述第二介质层中的所述开口暴露出所述金属凸块的顶面并延伸暴露出所述第一介质层围绕所述金属凸块外围的部分。

9.如权利要求1所述的连接结构的制造方法，其特征在于，形成多个依次堆叠的所述子连接结构的步骤包括：

重复所述子连接结构的形成步骤，以形成N个子连接结构，并且保留其中一个子连接结构中的基底，其中N为大于1的正整数；

将N-1个子连接结构中的每一个子连接结构依次堆叠至保留有基底的所述子连接结构上；以及

去除保留有基底的所述子连接结构中的所述基底。

10.如权利要求9所述的连接结构的制造方法，其特征在于，通过压合的方法将所述N-1个子连接结构中的每一个子连接结构依次堆叠至保留有基底的所述子连接结构上。

11.如权利要求1至10中任一项所述的连接结构的制造方法，其特征在于，在形成所述开口之后，在填充所述导电层之前，所述连接结构的制造方法还包括：

形成一内衬绝缘层在所述开口内，所述内衬绝缘层覆盖所述开口的底部、侧壁；以及

刻蚀所述内衬绝缘层中覆盖所述开口底部的部分，以暴露出所述金属凸块。

12.如权利要求11所述的连接结构的制造方法，其特征在于，所述内衬绝缘层还覆盖所述第二介质层的上表面。