[发明专利]二氧化硅薄膜的制备方法

权利要求书

1.一种二氧化硅薄膜制备方法，包括：

S100，提供一硅衬底(110)；

S200，将所述硅衬底(110)放入氧化炉内，将所述氧化炉内的温度由预设温度升温至反应温度，所述反应温度为1000℃-1200℃；

S310，在所述氧化炉内的温度由所述预设温度升至所述反应温度之前，向所述氧化炉通入氧气，所述氧气的流量为10slm/min-15slm/min，在所述硅衬底(110)表面形成第二二氧化硅层(130)，所述第二二氧化硅层(130)设置于所述硅衬底(110)的表面；

S320，在所述氧化炉内的温度升高至所述反应温度之后，将所述氧气的流量调整为9slm/min-10slm/min；

S410，向所述氧化炉中通入氧气4min-6min后，开始向所述氧化炉内通入氢气，并点火，所述氢气的流量为4slm/min-8slm/min；

S420，向所述氧化炉中通入氢气0.5min-1.5min，将所述氢气的流量调节为14slm/min-14.6slm/min，在所述第二二氧化硅层(130)的表面形成第一二氧化硅层(120)。

2.如权利要求1所述的二氧化硅薄膜制备方法，其特征在于，所述S320中，所述氧气的流量为9.53slm/min。

3.如权利要求2所述的二氧化硅薄膜制备方法，其特征在于，所述S420中，所述氢气的流量为14.3slm/min。

4.如权利要求1所述的二氧化硅薄膜制备方法，其特征在于，所述S200包括：

S210，提供一氧化炉，对所述氧化炉加热升温至预处理温度，所述预处理温度为800℃-900℃；

S220，所述氧化炉升温至所述预处理温度后，将所述硅衬底(110)放入所述氧化炉内并向所述氧化炉内通入氮气；

S230，保持所述预处理温度20min-40min后，断开氮气并将所述氧化炉内的温度由预处理温度升至反应温度，所述反应温度为1000℃-1200℃。

5.如权利要求1所述的二氧化硅薄膜的制备方法，其特征在于，还包括：S500，断开氢气，向所述氧化炉内继续通入氧气，所述氧气的流量为9slm/min-10slm/min，在所述第一二氧化硅层(120)远离所述硅衬底(110)的表面形成第三二氧化硅层(140)。

6.如权利要求1所述的二氧化硅薄膜的制备方法，其特征在于，所述S100后还包括，S110，用清洗液对所述硅衬底(110)进行清洗。

7.如权利要求6所述的二氧化硅薄膜的制备方法，其特征在于，所述清洗液为H₂SO₄\H₂O₂的混合溶液、NH₄OH\H₂O₂\H₂O混合溶液、HCL\H₂O₂\H₂O混合溶液和HF溶液中的一种或多种。

8.如权利要求1-7任一项所述的二氧化硅薄膜的制备方法，其特征在于，还包括：

S600，所述第一二氧化硅层制备完成后，将所述氧化炉内的温度降至800℃-900℃，降温时间为60min-70min。