[发明专利]硅单晶晶片、其制造方法以及检测缺陷的方法

权利要求书

1.一种检测硅单晶晶片的方法，其中，所述方法包括：

将Ni溶液涂覆在所述硅单晶晶片上；

使Ni溶液与氧沉淀物结合以形成金属沉淀物，并且检测所述硅单晶晶片上的缺陷；

其中，NIDP区域形成为由Ni溶液未检测到缺陷的区域；

其中，所述缺陷为通过Ni溶液与所述硅单晶晶片的氧沉淀物结合所形成的金属沉淀物。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述硅单晶晶片通过切割硅晶锭来获得。

3.根据权利要求2所述的方法，其中，使所述晶片生长以允许所述硅晶锭的整个区域具有所述NIDP区域。

4.一种检测硅单晶晶片的方法，所述方法包括：

对所述硅单晶晶片进行Ni污染；

对被Ni污染的硅单晶晶片进行第一热处理，从而在所述硅单晶晶片上形成金属沉淀物的核；

对经第一热处理的硅单晶晶片进行第二热处理以使所述金属沉淀物的核生长；以及

确定所述硅单晶晶片中的缺陷；

其中，所述金属沉淀物通过Ni与所述硅单晶晶片的氧沉淀物的反应来形成。

5.根据权利要求4所述的方法，其中，所述Ni的浓度等于或大于至少1E13原子/cm²。

6.根据权利要求4所述的方法，其中，所述第一热处理在约870℃的温度下进行约4小时。

7.根据权利要求4所述的方法，其中，所述金属沉淀物的核为种子。

8.根据权利要求4所述的方法，其中，所述第二热处理在约1000℃下进行约1小时至3小时。

9.根据权利要求4所述的方法，进一步包括，在确定所述硅单晶晶片中的缺陷之前，对所述硅单晶晶片进行蚀刻。

10.根据权利要求9所述的方法，其中，所述硅单晶晶片除所述金属沉淀物之外的表面被蚀刻。

11.根据权利要求10所述的方法，其中，所述蚀刻形成了存在所述金属沉淀物的区域与不存在金属沉淀物的区域之间的步骤差异。

12.根据权利要求4所述的方法，进一步包括在进行所述第一热处理之前，当所述硅单晶晶片的氧浓度等于或小于阈值时，进行进一步的热处理。

13.根据权利要求12所述的方法，其中，所述阈值为约8ppma。

14.根据权利要求12所述的方法，其中，所述进一步的热处理在约800℃的温度下进行约4小时。