[发明专利]陶瓷加热器

说明书

陶瓷加热器可以包括：主体，其为陶瓷主体，具有为了举升销的升降而上下贯通的多个销孔；发热构件，其配备于所述主体的内部，借助于从外部接入的电源而发生热，用于加热所述晶片；及多个热传递构件，其在所述主体的上部面，沿着所述销孔配备部位的四周配备，用于使所述发热构件发生的热传导到所述晶片，以便所述晶片被均一加热。

技术领域

本发明涉及陶瓷加热器，更详细而言，涉及一种用于在半导体制造工序中加热晶片的陶瓷加热器。

背景技术

一般而言，半导体元件可以在晶片上通过沉积工序及照片蚀刻工序等而形成电路图案，对所述电路图案进行个别化而获得多个半导体芯片后，通过对所述半导体芯片进行封装而制造。

所述沉积工序作为在所述晶片上形成绝缘膜、导电膜等多样膜的工序，根据需要，可以执行物理气相沉积、化学气相沉积、等离子体强化化学气相沉积等工序。

特别是等离子体强化化学气相沉积工序，将所述晶片加热到工序温度，利用形成为等离子体状态的源气体和反应气体，可以在所述晶片上形成希望的膜。用于执行所述等离子体强化化学气相沉积工序的装置可以使用等离子体源和陶瓷加热器，所述等离子体源用于将供应到工序腔室内部的源气体和反应气体形成为等离子体状态，所述陶瓷加热器用于支撑所述晶片并加热到工序温度。

在所述陶瓷加热器中具备用于将所述晶片加热到工序温度的发热构件、用于将所述源气体和反应气体形成为等离子体状态的电极构件。另外，在所述陶瓷加热器中具备为了举升销的升降而上下贯通的多个销孔。此时，所述发热构件及所述电极构件与所述销孔隔开配置。

所述发热构件与所述销孔隔开配置，所述销孔具有截面积在所述陶瓷加热器的上端部位增加的结构，因而所述发热构件发生的热无法均一传递到被所述陶瓷加热器支撑的晶片。即，在所述晶片中，位于所述销孔上方的部位的温度会与其余部位的温度存在差异。因此，所述晶片的温度分布会不均一。

在所述晶片温度不均一的状态下，当针对所述晶片执行沉积工序时，在所述晶片中，在位于所述销孔上方的部位形成的膜的厚度相对较薄，膜无法在所述晶片上均一地形成。因此，会对所述晶片的品质产生不良影响。

发明内容

本发明提供一种能够均一地加热晶片的陶瓷加热器。

本发明的陶瓷加热器可以包括：主体，其为陶瓷主体，具有为了举升销的升降而上下贯通的多个销孔；发热构件，其配备于所述主体的内部，借助于从外部接入的电源而发生热，用于加热所述晶片；及多个热传递构件，其在所述主体的上部面，沿着所述销孔配备部位的四周配备，用于使所述发热构件发生的热传导到所述晶片，以便所述晶片被均一加热。

根据本发明的一个实施例，所述多个热传递构件可以由与所述主体相同的材质构成，或由具有高于所述主体的热传递率的材质构成。

根据本发明的一个实施例，所述多个热传递构件可以沿着所述各销孔的四周，以环形态配备。

根据本发明的一个实施例，所述多个热传递构件可以沿着所述各销孔的四周，相互隔开地配备多个。

根据本发明的一个实施例，所述多个热传递构件可以与所述各销孔贴紧或从所述各销孔隔开配置。

根据本发明的一个实施例，所述多个热传递构件与所述各销孔之间的隔开间隔可以为0至20㎜。

根据本发明的一个实施例，沿着一个销孔四周配备的热传递构件的上部面面积可以为13mm²至1900mm²。

根据本发明的一个实施例，所述陶瓷加热器可以还包括多个支撑构件，其在所述主体的上部面相互隔开配备，用于支撑晶片。

根据本发明的一个实施例，所述多个热传递构件可以具有与所述支撑构件相同的高度。