[发明专利]阵列基板的制造方法、阵列基板及显示面板

权利要求书

1.一种阵列基板的制造方法，其特征在于，所述方法包括：

在衬底基板上形成第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管；

其中，所述第一薄膜晶体管包括：第一有源层图形、第一栅极、第一源极和第一漏极，所述第二薄膜晶体管包括：第二有源层图形、第二栅极、第二源极和第二漏极，

所述第一源极、所述第一漏极与所述第二栅极采用一次构图工艺形成，所述第二源极与所述第二漏极采用一次构图工艺形成；

所述在衬底基板上形成第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管，包括：

在所述衬底基板上形成所述第一薄膜晶体管、所述第二薄膜晶体管和导电电极，所述第一源极与所述第一漏极中的一个和所述导电电极电连接；

其中，所述第二源极、所述第二漏极与所述导电电极采用一次构图工艺形成。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，

所述在衬底基板上形成第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管，包括：

在所述衬底基板上形成所述第一薄膜晶体管、第一辅助电极和所述第二薄膜晶体管，所述第一辅助电极与所述第一栅极之间设置有一层绝缘层；

其中，所述第一辅助电极、所述一层绝缘层与所述第一栅极构成存储电容。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，

所述在所述衬底基板上形成所述第一薄膜晶体管、第一辅助电极和所述第二薄膜晶体管，包括：

在所述衬底基板上依次形成所述第一有源层图形、第一栅绝缘层和第一导电图形，所述第一导电图形包括：所述第一栅极；

在所述第一导电图形上依次形成第二栅绝缘层和第二导电图形，所述第二导电图形包括：所述第一辅助电极；

在所述第二导电图形上依次形成第一层间介电层、第二有源层图形、第三栅绝缘层和第三导电图形，所述第三导电图形包括：所述第一源极、所述第一漏极与所述第二栅极；

在所述第三导电图形上依次形成第二层间介电层、钝化层和第四导电图形，所述第四导电图形包括：所述第二源极和所述第二漏极。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，

所述在所述第二导电图形上依次形成第一层间介电层、第二有源层图形、第三栅绝缘层和第三导电图形，包括：

在所述第二导电图形上依次形成所述第一层间介电层和所述第二有源层图形；

在所述第二有源层图形上形成栅绝缘薄膜；

对形成有所述栅绝缘薄膜的衬底基板执行一次构图工艺，以形成带有第一过孔的衬底基板，所述第一过孔依次贯穿所述栅绝缘薄膜、所述第一层间介电层、所述第二栅绝缘层和所述第一栅绝缘层；

对所述带有第一过孔的衬底基板进行清洗处理；

在清洗处理后的衬底基板上形成所述第三导电图形；

对形成有所述第三导电图形的衬底基板进行刻蚀处理，以形成所述第三栅绝缘层；

其中，所述第三导电图形中的第一源极与第一漏极均通过所述第一过孔与所述第一有源层图形电连接。

5.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述阵列基板具有显示区域和引线区域，所述第一薄膜晶体管与所述第二薄膜晶体管均位于所述显示区域中，

所述在所述第三导电图形上依次形成第二层间介电层、钝化层和第四导电图形，包括：

在所述第三导电图形上依次形成所述第二层间介电层和所述钝化层；

对形成有所述钝化层的衬底基板执行两次构图工艺，以在所述引线区域内形成第二过孔；

在所述第二过孔中形成有机填充物；

在形成有所述有机填充物的衬底基板上形成所述第四导电图形。

6.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，

所述在所述衬底基板上形成所述第一薄膜晶体管、第一辅助电极和所述第二薄膜晶体管，包括：

在所述衬底基板上形成所述第一薄膜晶体管、所述第一辅助电极、第二辅助电极和所述第二薄膜晶体管，所述第二辅助电极与所述第一栅极采用一次构图工艺形成，或者，所述第二辅助电极与所述第一辅助电极采用一次构图工艺形成；

其中，所述第二辅助电极用于与所述第二栅极构成双栅型结构，所述第二辅助电极与所述第二栅极分别位于所述第二有源层图形的相对的两侧。