[发明专利]多晶黑硅PERC电池的抛光制绒工艺

权利要求书

1.多晶黑硅PERC电池的抛光制绒工艺，其特征在于，在链式设备中对多晶硅片进行先双面抛光再单面黑硅制绒；

所述链式设备包括用于实施双面抛光的抛光槽，抛光槽内储有抛光液，多晶硅片以浸没方式通过抛光槽，完成双面抛光，在多晶硅片的顶面和底面分别形成抛光面；

所述单面黑硅制绒为采用金属离子催化的湿法化学制绒，且通过控制多晶硅片单面附着金属离子来实施多晶硅片的单面黑硅制绒；

所述链式设备包括用于实施多晶硅片单面附着金属离子的金属离子溶液储槽，金属离子溶液储槽内储有金属离子溶液，金属离子溶液储槽内还设有承载多晶硅片的滚轮，双面抛光的多晶硅片以滚轮带液方式通过金属离子溶液储槽，完成多晶硅片单面附着金属离子，即多晶硅片底面附着金属离子；

底面附着金属离子的多晶硅片完成单面黑硅制绒后，多晶硅片的顶面仍为抛光面，多晶硅片的底面形成黑硅绒面；

具体的，包括在链式设备中依次进行的如下步骤：

1）多晶硅片浸没抛光液，在多晶硅片的顶面和底面分别形成抛光面；

按重量百分比计，抛光液由以下组分组成：氢氧化钠或氢氧化钾5%～10%，抛光辅助剂0.3%～1.0%，余量为去离子水；

按重量百分比计，抛光辅助剂由以下组分组成：苯甲酸钠1.0%～3.0%，乙酸钠1.0%～2.0%，丙三醇0.5%～2.0%，聚乙二醇0.2%～1.0%，硅酸钠5.0%～10.0%，余量为去离子水；

2）第一次水洗，洗去多晶硅片上的抛光液；

3）多晶硅片以滚轮带液的方式附着金属离子溶液，使多晶硅片底面附着金属离子；

按重量百分比计，金属离子溶液由以下组分组成：氢氟酸2%～8%,硝酸银1～50PPM，沉银辅助剂0.2%～0.8%，余量为去离子水；

按重量百分比计，沉银辅助剂由以下组分组成：柠檬酸0.5%～3.0%，丁二醇0.5%～3.0%，羟乙基纤维素0.15%～0.8%，酒石酸0.5%～2.0%，聚乙二醇0.5%～1.0%，余量为去离子水；

4）多晶硅片浸没挖孔液，使多晶硅片底面形成纳米孔洞；

按重量百分比计，挖孔液由以下组分组成：氢氟酸10%～30%，双氧水2%～10%，挖孔辅助剂0.5%～1.0%，余量为去离子水；

5）第二次水洗，洗去多晶硅片上的挖孔液；

6）多晶硅片浸没金属离子脱除液，脱除多晶硅片上的金属离子；

按重量百分比计，金属离子脱除液由以下组分组成：氨水2%～5%，双氧水3%～8%，余量为去离子水；

7）第三次水洗，洗去多晶硅片上的金属离子脱除液；

8）多晶硅片浸没扩孔液，使多晶硅片底面形成微纳孔洞，即在多晶硅片底面形成黑硅绒面；

按重量百分比计，扩孔液由以下组分组成：氢氟酸10%～20%，硝酸15%～30%，余量为去离子水；

9）第四次水洗，洗去多晶硅片上的扩孔液；

10）多晶硅片浸没碱溶液进行碱洗，去除硅片表面残留的多孔硅；

按重量百分比计，碱溶液由以下组分组成：氢氧化钾或氢氧化钠3%～8%,双氧水4%～10%，余量为去离子水；

11）第五次水洗，洗去多晶硅片上的碱溶液；

12）多晶硅片浸没酸溶液进行酸洗，去除硅片表面的金属离子；

按重量百分比计，酸溶液由以下组分组成：氢氟酸10%～20%，盐酸10%～20%，余量为去离子水；

13）第六次水洗，洗去多晶硅片上的酸溶液；

14）烘干。

2.根据权利要求1所述的多晶黑硅PERC电池的抛光制绒工艺，其特征在于，按重量百分比计，沉银辅助剂由以下组分组成：柠檬酸1.0%～2.0%，丁二醇1.0%～1.5%，羟乙基纤维素0.4%～0.6%，酒石酸1.0%～2.0%，聚乙二醇0.5%～0.8%，余量为去离子水。