[发明专利]一种化学气相沉积设备

说明书

本发明公开了一种化学气相沉积设备，包括压缩冷却系统、第一进气管道、反应腔室以及排气管道，所述第一进气管道连通所述压缩冷却系统与所述反应腔室，以将所述压缩冷却系统所产生压缩冷却气体传输至所述反应腔室；所述排气管道连通所述反应腔室，以排出所述反应腔室内部的气体。本发明能够有效降低反应腔冷却时间，进而提高设备稼动率。

技术领域

本发明涉及化学气相沉积技术领域，特别涉及一种化学气相沉积设备。

背景技术

化学气相沉积法(CVD，ChemicalVapor Deposition)是半导体工业中应用最为广泛的用来沉积多种材料的技术，其可以用来沉积大多数的绝缘材料、金属材料和金属合金材料。反应腔室是CVD设备最重要的组成部分，其长时间运行后，需定期对其开腔并进行保养。反应腔室的工艺温度一般较高。现有的CVD设备在反应腔室开腔前，降温冷却耗时很长，大大降低了设备的稼动率。

发明内容

本发明提供一种化学气相沉积设备，能够有效降低反应腔冷却时间，进而提高设备稼动率。

本发明采用下述技术方案：

一种化学气相沉积设备，包括压缩冷却系统、第一进气管道、反应腔室以及排气管道，所述第一进气管道连通所述压缩冷却系统与所述反应腔室，以将所述压缩冷却系统所产生的压缩冷却气体传输至所述反应腔室；所述排气管道连通所述反应腔室，以排出所述反应腔室内部的气体。

进一步地，所述化学气相沉积设备还包括第二进气管道，所述压缩冷却系统包括压缩机以及冷凝器，所述压缩机与冷凝器通过所述第二进气管道连通，所述冷凝器通过所述第一进气管道与所述反应腔室连通。

进一步地，所述压缩冷却系统还包括压力计，所述压力计连接在所述第二进气管道上。

进一步地，所述化学气相沉积设备还包括第三进气管道，所述压缩冷却系统还包括过滤器，所述过滤器与冷凝器通过所述第三进气管道连通，且所述过滤器与反应腔室通过所述第一进气管道连通。

进一步地，所述反应腔室包括反应腔壁、由所述反应腔壁围成的反应腔以及位于所述反应腔内的扩散板，所述扩散板内部具有中空腔，所述中空腔与所述第一进气管道连通以将所述压缩冷却气体扩散。

进一步地，所述化学气相沉积设备包括多个第一进气管道，所述多个第一进气管道与所述反应腔室内部连通。

进一步地，所述扩散板数量为多个，每个扩散板连通一个所述第一进气管道。

进一步地，所述化学气相沉积设备还包括真空泵，所述真空泵连通所述排气管道以将所述反应腔室内部的气体抽至所述排气管道且由排气管道排出。

与现有技术相比，本发明提供的化学气相沉积设备，相对于现有化学气相沉积设备增设了压缩冷却系统，进而使得化学气相沉积设备的反应腔室冷却时，显著缩短降温时间，大大提高了设备的稼动率。

附图说明

此处所说明的附图用来提供对本发明的进一步理解，构成本发明的一部分，本发明的示意性实施例及其说明用于解释本发明，并不构成对本发明的不当限定。在附图中：

图1为本发明较佳实施例化学气相沉积设备示意图。

具体实施方式

为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明具体实施例及相应的附图对本发明技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

以下结合附图，详细说明本发明较佳实施例提供的技术方案。