[发明专利]一种n型SnSe基热电纳米材料的制备方法有效
| 申请号： | 201810194956.8 | 申请日： | 2018-03-09 |
| 公开（公告）号： | CN108389956B | 公开（公告）日： | 2021-05-04 |
| 发明（设计）人： | 张倩;李孝芳;陈辰;曹峰;刘兴军 | 申请（专利权）人： | 哈尔滨工业大学深圳研究生院 |
| 主分类号： | H01L35/34 | 分类号： | H01L35/34;H01L35/16 |
| 代理公司： | 深圳市添源知识产权代理事务所(普通合伙) 44451 | 代理人： | 黎健任 |
| 地址： | 518000 广东省深圳*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 snse 热电 纳米 材料 制备 方法 | ||
1.一种n型SnSe基热电纳米材料的制备方法，其特征在于：采用化学合成的方法，以2-乙基己酸铋作为Bi源，在SnSe基热电材料中掺入Bi元素，Bi元素掺杂的摩尔百分含量为1~5％；
其包括以下步骤：
步骤S1，将NaOH和NaBH4溶于去离子水和无水乙二胺的混合液中，随后转移至装有Se粉、SnCl2和2-乙基己酸铋的烧瓶中，将烧瓶连入史兰克反应线中，除氧后，升温至120-180℃进行反应1-5h；
步骤S2，反应完成后冷却，得到的粉末经离心分离洗涤后，真空干燥，得到粗产品；
步骤S3，将粗产品在H2/Ar混合气环境下进行还原退火，得到后处理粉末。
2.根据权利要求1所述的n型SnSe基热电纳米材料的制备方法，其特征在于：所述Bi元素掺杂的摩尔百分含量为2~4％。
3. 根据权利要求2所述的n型SnSe基热电纳米材料的制备方法，其特征在于，还包括步骤S4，将后处理粉末在SPS中400-600℃、40-60 MPa、保温保压烧结。
4.根据权利要求2所述的n型SnSe基热电纳米材料的制备方法，其特征在于：步骤S1中，除氧后，升温至150℃反应2-4h。
5.根据权利要求2所述的n型SnSe基热电纳米材料的制备方法，其特征在于：步骤S2中，反应完成后采用冰水浴冷却。
6. 根据权利要求2所述的n型SnSe基热电纳米材料的制备方法，其特征在于：步骤S2中，真空干燥的条件为20~80℃下真空干燥12 h。
7.根据权利要求2所述的n型SnSe基热电纳米材料的制备方法，其特征在于：步骤S3中，还原退火的条件为150-300℃下还原退火30~60min。
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