[发明专利]一种大面积金红石相SnO2

权利要求书

1.一种大面积金红石相SnO₂薄膜的低温制备方法，其特征在于：所述方法具体包含如下步骤：

(1)清洗基底：将合适大小的透明导电衬底采用半导体工艺清洗，然后经紫外臭氧处理后吹干备用；

(2)配制四氯化锡(SnCl₄)水溶液：将无水四氯化锡缓慢逐滴加入到去离子水中，搅拌均匀后，制得四氯化锡水溶液，所述四氯化锡水溶液的浓度为0.02M～0.7M；

(3)制备SnO₂薄膜：将步骤(1)所述清洗好的透明导电衬底放入培养皿中，然后向培养皿中加入步骤(2)所述配制好的四氯化锡水溶液，再将培养皿放入水浴锅中进行水浴加热，控制水浴温度为70℃，水浴时间为2h，使透明导电衬底表面沉积SnO₂水溶胶；将表面沉积有SnO₂水溶胶的透明导电衬底取出，用棉签清洗衬底背面，再依次用超声仪、去离子水、无水乙醇清洗处理，最后在低温条件下进行退火处理，从而在衬底上形成大面积金红石相SnO₂薄膜样品，所述退火温度为70～150℃，退火时间为1h。

2.根据权利要求1所述的大面积金红石相SnO₂薄膜的低温制备方法，其特征在于：所述退火温度为70℃、100℃或150℃。

3.根据权利要求1或2所述的大面积金红石相SnO₂薄膜的低温制备方法，其特征在于：所述透明导电衬底为FTO。

4.一种 权利要求1或2所述的大面积金红石相SnO₂薄膜的应用，其特征在于：所述的SnO₂薄膜可应用于SnO₂平面钙钛矿太阳能电池。

5.一种SnO₂平面钙钛矿太阳能电池，所述电池包括透明导电衬底、电子传输层、钙钛矿活性层、空穴传输层和金属电极，其特征在于：所述电子传输层为SnO₂薄膜，所述钙钛矿活性层为MAPbI₃薄膜，所述空穴传输层为Spiro-OMeTAD薄膜，其中，所述SnO₂薄膜为根据权利要求1或2所述方法制得的大面积金红石相SnO₂薄膜。

6.根据权利要求5所述的SnO₂平面钙钛矿太阳能电池，其特征在于：所述的透明导电衬底的厚度为380nm，所述电子传输层的厚度为20nm，所述钙钛矿活性层的厚度为500nm，所述空穴传输层的厚度为200nm，所述金属电极的厚度为60nm。

7.根据权利要求5或6所述的SnO₂平面钙钛矿太阳能电池，其特征在于：所述透明导电衬底为掺氟氧化锡透明导电玻璃FTO，所述的金属电极为金电极。

8.一种权利要求5所述的SnO₂平面钙钛矿太阳能电池的制备方法，其特征在于：所述方法具体包括如下步骤：

(a)在透明导电衬底上制备SnO₂薄膜作为电子传输层；

(b)在电子传输层上旋涂制备MAPbI₃薄膜作为钙钛矿活性层；

(c)在钙钛矿活性层上旋涂制备Spiro-OMeTAD薄膜作为空穴传输层；

(d)在空穴传输层上蒸镀制备金属电极。