[发明专利]一种阵列基板的制造方法和阵列基板

权利要求书

1.一种阵列基板的制造方法，其特征在于，所述阵列基板包括多个主动开关，所述阵列基板的制造方法包括：

提供一基板；

在所述基板上形成栅极、栅极绝缘层、半导体层、源漏电极层和光刻胶层；

对所述光刻胶层采用半色掩膜工艺进行图案化，以形成图案化的光刻胶层；

利用所述图案化的光刻胶层掩膜，对所述源漏电极层进行至少一次湿法刻蚀，以形成所述主动开关的源极和漏极，对所述半导体层进行至少一次干法刻蚀，以形成所述主动开关的沟道区；

还包括执行三次光刻胶灰化步骤，所述光刻胶灰化步骤设置在所述湿法刻蚀和所述干法刻蚀的步骤之间；

其中，所述湿法刻蚀包括第一次湿法刻蚀和第二次湿法刻蚀；所述干法刻蚀包括第一次干法刻蚀和第二次干法刻蚀；所述三次光刻胶灰化包括第一次光刻胶灰化、第二光刻胶灰化和第三次光刻胶灰化；所述第一次湿法刻蚀、所述第一次光刻胶灰化、所述第一次干法刻蚀、所述第二次光刻胶灰化、所述第二次湿法刻蚀、所述第三次光刻胶灰化及所述第二次干法刻蚀依次进行；所述光刻胶灰化步骤中横向刻蚀速率与纵向刻蚀速率的比值的取值范围为1:0.9～1:1.5。

2.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述光刻胶灰化步骤中，刻蚀气体包括六氟化硫和氧气。

3.根据权利要求2所述的制造方法，其特征在于，所述横向刻蚀速率与纵向刻蚀速率的比值为1:0.9时，所述刻蚀气体为氧气。

4.根据权利要求2所述的制造方法，其特征在于，所述横向刻蚀速率与纵向刻蚀速率的比值为1:1.5时，所述刻蚀气体为六氟化硫和氧气，且六氟化硫与氧气的流量比的取值范围为0.02-0.1。

5.根据权利要求4所述的制造方法，其特征在于，六氟化硫的流量取值范围为200-800sccm。

6.根据权利要求4所述的制造方法，其特征在于，氧气的流量取值范围为8000-10000sccm。

7.一种阵列基板，其特征在于，所述阵列基板采用权利要求1-6任一项所述的制造方法形成，其特征在于，包括：

基板；

形成在所述基板上的半导体层、源极和漏极；

所述源极和漏极位于所述半导体层远离所述基板的一侧；

其中，所述半导体层在所述基板上的投影轮廓与所述源极或所述漏极在所述基板上的投影轮廓的间距小于1.2微米；掺杂层在所述基板上的投影轮廓与所述源极和所述漏极在所述基板上的投影轮廓的间距小于0.8微米。

8.一种阵列基板的制造方法，其特征在于，所述阵列基板包括多个主动开关，所述阵列基板的制造方法包括：

提供一基板；

在所述基板上形成栅极、栅极绝缘层、半导体层、源漏电极层和光刻胶层；

对所述光刻胶层采用半色掩膜工艺进行图案化，以形成图案化的光刻胶层，所述图案化的光刻胶层包括第一区域和第二区域，以及位于所述第一区域和所述第二区域之间的第三区域，所述第三区域的厚度的取值范围为0.2-0.8微米；

利用所述图案化的光刻胶层掩膜，对所述源漏电极层进行至少一次湿法刻蚀，以在所述第一区域覆盖的部分形成所述主动开关的源极，在所述第二区域覆盖的部分形成所述主动开关的漏极，对所述半导体层进行至少一次干法刻蚀，以在所述第三区域覆盖的部分形成所述主动开关的沟道区；

还包括执行三次光刻胶灰化步骤，所述光刻胶灰化步骤设置在所述湿法刻蚀和所述干法刻蚀的步骤之间；

其中，所述湿法刻蚀包括第一次湿法刻蚀和第二次湿法刻蚀；所述干法刻蚀包括第一次干法刻蚀和第二次干法刻蚀；所述三次光刻胶灰化包括第一次光刻胶灰化、第二光刻胶灰化和第三次光刻胶灰化；所述第一次湿法刻蚀、所述第一次光刻胶灰化、所述第一次干法刻蚀、所述第二次光刻胶灰化、所述第二次湿法刻蚀、所述第三次光刻胶灰化及所述第二次干法刻蚀依次进行；所述光刻胶灰化步骤中横向刻蚀速率与纵向刻蚀速率的比值的取值范围为1:0.9～1:1.5，刻蚀气体包括六氟化硫和氧气。