[发明专利]一种CVD方法制备多功能的镍掺杂二硫化钼原位电极有效
申请号: | 201810196377.7 | 申请日: | 2018-03-09 |
公开(公告)号: | CN108517534B | 公开(公告)日: | 2020-06-23 |
发明(设计)人: | 黄妞;闫术芳;丁玉岳;孙小华;孙盼盼 | 申请(专利权)人: | 三峡大学 |
主分类号: | C25B1/04 | 分类号: | C25B1/04;C25B11/06 |
代理公司: | 宜昌市三峡专利事务所 42103 | 代理人: | 成钢 |
地址: | 443002*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 cvd 方法 制备 多功能 掺杂 二硫化钼 原位 电极 | ||
本发明提供一种多功能镍掺杂二硫化钼原位电极的CVD制备方法,将镍盐和氯化钼溶于挥发非水溶剂,获得Ni‑Mo前躯液;上述前躯液涂布到基底上,干燥后放在Ar+S气氛中或N2+S气氛中,CVD硫化。本发明的技术方案得到的产品具有设备要求低、所需原料成本低廉、反应条件易于控制、生产工艺简单、所形成的产品一致性好,环境污染小等优点,可用于HER、OER和ORR的多功能电催化剂。
技术领域
本发明涉及原位电极及其制备,属于能量存储和转换材料与器件领域。
背景技术
二硫化钼MoS2作为一种类石墨新型材料,被广泛用于加氢脱硫、锂离子电池、超级电容器、电解水制氢和染料敏化太阳能电池等诸多领域。二硫化钼层边缘Mo、S原子因配位不饱和而具有高的催化活性,而层内配位饱和的S原子基本是惰性的。研究表明二硫化钼掺入钴、镍等过渡金属元素,能有效的改善其加氢脱硫和电解水制氢的催化性能。包信和院士课题组研究(Energy Environ.Sci.,2015,8,1594-1601.)发现镍的掺入使得其周围的硫原子对氢质子的吸附能力极大提高,ΔGH0由1.83eV左右下降为-0.28eV。较大的吸附能力拟将提高碱性中(氢质子浓度低)镍掺杂二硫化钼的催化产氢(HER)性能。
研究表明,NiSx、NiOx具有电催化吸氧(OER)和电催化氧还原(ORR)的性能。若将镍掺入二硫化钼,镍掺杂二硫化钼中存在Ni-S键,若在OER测试过程经过预氧化,将存在Ni-O键。因此,镍掺杂二硫化钼拟将具有OER和ORR性能。
然而,这种制备掺杂MoS2多采用湿化学方法,如水热、溶剂热、化学浴等,且制备的样品多为粉末,仍需制成浆料或墨水状再涂覆成膜,这就增加了工艺复杂性和成本。
发明内容
有鉴于此,本发明的目的是提供一种原位制备Ni掺杂MoS2电极的方法,该方法具有设备要求低、所需原料成本低廉、反应条件易于控制、生产工艺简单、所形成的产品一致性好,环境污染小等优点,可用于HER、OER和ORR的多功能电催化剂,对于原位电极的批量生产有重大意义。
为此,本发明提供了一种Ni-Mo前躯液成膜后再气氛硫化,制备出原位Ni掺杂MoS2电极的化学气相沉积方法,包括如下步骤:
第一步、在室温搅拌条件下,将镍盐和氯化钼溶于乙醇等极性易挥发溶剂,获得Ni-Mo前躯液,其中Ni、Mo原子的浓度之和为200~900mM。该步骤的意义在于:前驱液内几乎无水分子,防止氯化钼水解;反应试剂均匀分散,获得均匀无沉淀的Ni元素与Mo元素在原子尺度均匀混合的前躯液为制备均匀Ni掺杂MoS2阵列打下良好基础。
第二步、将上述前躯液滴涂或旋涂到基底上,如碳布、石墨纸、铜或镍箔,于干燥空气中干燥,或于热台上70~100℃快速干燥,该步骤的意义在于:乙醇快速挥发后留下由Ni盐和氯化钼均匀混合的前驱膜层,保证后续化学气相沉积反应后仍获得均匀的Ni掺杂MoS2膜。第三步、将步骤二中前驱膜于Ar+S气氛中或N2+S气氛中,经500~800℃烧结30min~3h,随炉冷却取出即可得到Ni掺杂MoS2原位电极。以Ni的氯盐为例,500~800℃烧结0.5~3h中的CVD掺杂反应为:
Ni掺杂二硫化钼原位电极的制备原理就是:①利用Ni-Mo前驱液内Ni、Mo原子的均匀混合性和Ni-Mo乙醇前驱液易均匀成膜性;②利用500~800℃CVD反应制备Ni掺杂的二硫化钼。
附图说明
图1实施例1所制备的Ni掺杂二硫化钼原位电极的(a)HER、(b)OER、(c)ORR线性伏安扫描(LSV)。
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