[发明专利]一种高效率的反转有机发光二极管及其制备方法在审
申请号: | 201810196447.9 | 申请日: | 2018-03-09 |
公开(公告)号: | CN108461639A | 公开(公告)日: | 2018-08-28 |
发明(设计)人: | 张宏梅;张川 | 申请(专利权)人: | 南京邮电大学 |
主分类号: | H01L51/50 | 分类号: | H01L51/50;H01L51/54;H01L51/56 |
代理公司: | 南京瑞弘专利商标事务所(普通合伙) 32249 | 代理人: | 沈廉 |
地址: | 210046 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电子注入层 有机发光二极管 高效率 制备 载流子 电子传输材料 电子传输层 空穴传输层 空穴注入层 金属阳极 顺序设置 氧化铟锡 倒置 发光层 发光区 衬底 反转 玻璃 平衡 | ||
1.一种高效率的反转有机发光二极管,其特征在于,该反转有机发光二极管的结构自下而上的顺序设置为:透明衬底、透明阴极、电子注入层、电子传输层、发光层、空穴传输层、空穴注入层、金属阳极。
2.根据权利要求1所述的高效率的反转有机发光二极管,其特征在于,所述的透明衬底为透明玻璃。
3.根据权利要求1所述的高效率的反转有机发光二极管,其特征在于,所述的透明阴极为氧化铟锡ITO。
4.根据权利要求1所述的高效率的反转有机发光二极管,其特征在于,所述
的电子注入层为有机p-n结电子注入层,其中,
p型材料为poly(3,4-ethylenedioxythiophene):poly(styrenesulfonate)简称PEDOT:PSS,
n型掺杂材料为bathophenanthroline:Cs2CO3,bathophenanthroline简称Bphen。
5.根据权利要求1所述的高效率的反转有机发光二极管,其特征在于,所示
的电子传输层材料为Bphen。
6.根据权利要求1所述的高效率的反转有机发光二极管,其特征在于,所述
的发光层主体为4,4’-N,N’-dicarbazole-biphenyl 简称CBP,发光层客体为bis(2-phenylpyridine)(acetylacetonate)-iridium(III) (Ir(ppy)2(acac))。
7.根据权利要求1所述的高效率的反转有机发光二极管,其特征在于,所述
的空穴传输层材料为CBP。
8.根据权利要求1所述的高效率的反转有机发光二极管,其特征在于,所述的空穴注入层是MoO3。
9.根据权利要求1所述的高效率的反转有机发光二极管,其特征在于,所述的金属阳极为铝Al。
10.一种如权利要求1所述的高效率的反转有机发光二极管的制备方法,其特征在于该方法包括以下步骤:
a.将刻蚀并清洗干净的ITO导电玻璃用氮气吹干并进行10-15分钟的紫外线臭氧预处理,
b.再把预处理好的ITO玻璃平稳放在旋涂仪上旋涂PEDOT:PSS,其中旋涂仪的速率为3450-3550转每分钟,旋涂时间为45-65秒,
c.然后将旋涂好的ITO玻璃放到温度为100-130摄氏度的加热台上加热30-40分钟,
d.最后把使用PEDOT:PSS处理后的ITO玻璃装入真空镀膜系统中,
e. 在一个真空度为3×10-4帕斯卡以下的真空镀膜系统中采用真空热蒸发的方法依次在玻璃衬底上蒸镀20纳米的电子注入层Bphen:Cs2CO3,其中Cs2CO3的质量分数为10%,40纳米的电子传输层Bphen;10纳米的发光层CBP:Ir(ppy)2,其中Ir(ppy)2的质量分数占整个发光层8%,45纳米空穴注入层CBP;5纳米的空穴注入层MoO3,及100-150纳米的金属阳极Al。
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