[发明专利]包含方硼石晶体的深紫外窗口器件

权利要求书

1.一种深紫外窗口器件，其特征在于，所述深紫外窗口器件包含方硼石晶体；

所述方硼石晶体的化学式为Mg₃B₇O₁₃Cl，所述晶体室温下为正交结构，空间群为Pca2₁，其晶胞参数为α＝β＝γ＝90°；

所述方硼石晶体包括由预烧的方硼石和助熔剂通过熔盐法生长得到；

所述预烧的方硼石以含镁化合物与B₂O₃和/或H₃BO₃为原料，经称重、混合、研磨、压片，装炉烧制而成；

所述含镁化合物为MgCl₂、MgO、MgCO₃中的至少一种；

所述助熔剂为MgCl₂与B₂O₃或H₃BO₃的混合物，其中MgCl₂与B₂O₃或H₃BO₃的摩尔比为(1～5):1；

所述烧制的温度为750～950℃，烧制时间为1.5～2.5h；

所述预烧的方硼石和助熔剂的摩尔比为1:(1～6)；

所述晶体的紫外吸收边为155nm。

2.根据权利要求1所述的器件，其特征在于，所述深紫外窗口器件的工作原理为，入射电磁辐射，通过所述方硼石晶体，得到透射电磁辐射。

3.根据权利要求2所述的器件，其特征在于，所述深紫外窗口器件能透过深紫外入射电磁辐射。

4.根据权利要求3所述的器件，其特征在于，所述入射电磁辐射的透过范围为0.155～4.0μm。

5.根据权利要求4所述的器件，其特征在于，所述入射电磁辐射的透过范围为0.155～2.0μm。

6.一种处理入射电磁辐射的方法，其特征在于，包括将一种或多种入射电磁辐射使用权利要求1-5任一项所述的深紫外窗口器件处理。