[发明专利]用于改进的集成电路封装的方法和装置在审

专利信息
申请号: 201810198394.4 申请日: 2018-03-12
公开(公告)号: CN108630632A 公开(公告)日: 2018-10-09
发明(设计)人: M·涩谷 申请(专利权)人: 德克萨斯仪器股份有限公司
主分类号: H01L23/31 分类号: H01L23/31;H01L23/488;H01L23/49
代理公司: 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 代理人: 赵志刚;赵蓉民
地址: 美国德*** 国省代码: 美国;US
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摘要:
搜索关键词: 侧面 焊料 接合 加强片 集成电路封装 方法和装置 模塑化合物 附接 管芯 焊盘 封装 可焊接金属 基底金属 电连接 集成电路 平行 改进 申请
【权利要求书】:

1.一种集成电路封装即IC封装,其包含:

IC管芯,其被放置在管芯附接焊盘上;

多个引线,其被电连接至所述IC管芯上的端子,所述多个引线中的每一个包括基底金属;以及

模塑化合物材料,其封装部分的所述IC管芯、所述管芯附接焊盘和所述多个引线;

所述多个引线具有从所述IC封装的外围延伸的焊料接合加强片,所述焊料接合加强片包括在第一方向纵向延伸的第一侧面、与所述第一侧面相对并且平行于所述第一侧面的第二侧面、被定向在垂直于所述第一方向的第二方向的第三侧面、与所述第三侧面相对并且平行于所述第三侧面的第四侧面、形成所述焊料接合加强片的末端部分的第五侧面,所述焊料接合加强片包括所述第二、第三和第四侧面上以及所述第五侧面的部分上的可焊接金属层。

2.根据权利要求1所述的IC封装,其中所述IC封装是选自小型无引线封装即SON封装和方形扁平无引线封装即QFN封装中的一种。

3.根据权利要求1所述的IC封装,其中,所述焊料接合加强片包括从IC封装的所述外围向外延伸的引线框架材料。

4.根据权利要求1所述的IC封装,其中所述焊料接合加强片包括所述可焊接金属层,所述可焊接金属层包括选自镍、金、钯及其合金中的至少一种。

5.根据权利要求1所述的IC封装,其中所述焊料接合加强片具有在约30μm至50μm的范围内的厚度。

6.根据权利要求1所述的IC封装,其中,所述焊料接合加强片具有从所述IC封装的所述外围延伸的在约30μm至70μm的范围内的长度。

7.根据权利要求1所述的IC封装,其中,部分的所述焊料接合加强片从所述IC封装的基底水平地向外突出。

8.根据权利要求1所述的IC封装,其中部分的所述焊料接合加强片从所述IC封装的所述基底向外突出,并且与所述IC封装的垂直侧壁并排延伸。

9.一种集成电路封装即IC封装,其包含:

封装附接至管芯焊盘的IC管芯的部分的模塑化合物、由引线框架材料形成的引线以及在所述IC管芯的端子和由引线框架材料形成的所述引线之间形成的电连接;以及

焊料接合加强片,其从所述IC封装的所述引线中的一个向外突出,其中所述焊料接合加强片具有被纵向定向在第一方向的第一侧面、与所述第一侧面相对并且与所述第一侧面平行的第二侧面、被定向在垂直于所述第一侧面的第二方向的第三侧面、与所述第三侧面相对并且与所述第三侧面平行的第四侧面、以及形成所述焊料接合加强片的末端部分的第五侧面,并且所述焊料接合加强片包括引线框架基底金属,所述引线框架基底金属具有在所述第二侧面、第三侧面和第四侧面上和所述第五侧面的一部分上的可焊接金属层。

10.根据权利要求9所述的IC封装,其中,所述焊料接合加强片包括切割槽引线框架材料。

11.根据权利要求9所述的IC封装,其中所述焊料接合加强片包括所述可焊接金属层,所述可焊接金属层是选自:镍层、金层、钯层和镍层加钯层中的一种。

12.根据权利要求9所述的IC封装,其中所述焊料接合加强片具有在约30μm至50μm的范围内的厚度。

13.根据权利要求9所述的IC封装,其中,所述焊料接合加强片具有从所述IC封装的外围在所述第一方向纵向延伸的约30μm至70μm的长度。

14.根据权利要求9所述的IC封装,其中所述焊料接合加强片从所述IC封装的基底水平地突出。

15.根据权利要求9所述的IC封装,其中所述焊料接合加强片与所述IC封装的垂直侧壁并排延伸。

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