[发明专利]用于改进的集成电路封装的方法和装置在审
申请号: | 201810198394.4 | 申请日: | 2018-03-12 |
公开(公告)号: | CN108630632A | 公开(公告)日: | 2018-10-09 |
发明(设计)人: | M·涩谷 | 申请(专利权)人: | 德克萨斯仪器股份有限公司 |
主分类号: | H01L23/31 | 分类号: | H01L23/31;H01L23/488;H01L23/49 |
代理公司: | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人: | 赵志刚;赵蓉民 |
地址: | 美国德*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 侧面 焊料 接合 加强片 集成电路封装 方法和装置 模塑化合物 附接 管芯 焊盘 封装 可焊接金属 基底金属 电连接 集成电路 平行 改进 申请 | ||
1.一种集成电路封装即IC封装,其包含:
IC管芯,其被放置在管芯附接焊盘上;
多个引线,其被电连接至所述IC管芯上的端子,所述多个引线中的每一个包括基底金属;以及
模塑化合物材料,其封装部分的所述IC管芯、所述管芯附接焊盘和所述多个引线;
所述多个引线具有从所述IC封装的外围延伸的焊料接合加强片,所述焊料接合加强片包括在第一方向纵向延伸的第一侧面、与所述第一侧面相对并且平行于所述第一侧面的第二侧面、被定向在垂直于所述第一方向的第二方向的第三侧面、与所述第三侧面相对并且平行于所述第三侧面的第四侧面、形成所述焊料接合加强片的末端部分的第五侧面,所述焊料接合加强片包括所述第二、第三和第四侧面上以及所述第五侧面的部分上的可焊接金属层。
2.根据权利要求1所述的IC封装,其中所述IC封装是选自小型无引线封装即SON封装和方形扁平无引线封装即QFN封装中的一种。
3.根据权利要求1所述的IC封装,其中,所述焊料接合加强片包括从IC封装的所述外围向外延伸的引线框架材料。
4.根据权利要求1所述的IC封装,其中所述焊料接合加强片包括所述可焊接金属层,所述可焊接金属层包括选自镍、金、钯及其合金中的至少一种。
5.根据权利要求1所述的IC封装,其中所述焊料接合加强片具有在约30μm至50μm的范围内的厚度。
6.根据权利要求1所述的IC封装,其中,所述焊料接合加强片具有从所述IC封装的所述外围延伸的在约30μm至70μm的范围内的长度。
7.根据权利要求1所述的IC封装,其中,部分的所述焊料接合加强片从所述IC封装的基底水平地向外突出。
8.根据权利要求1所述的IC封装,其中部分的所述焊料接合加强片从所述IC封装的所述基底向外突出,并且与所述IC封装的垂直侧壁并排延伸。
9.一种集成电路封装即IC封装,其包含:
封装附接至管芯焊盘的IC管芯的部分的模塑化合物、由引线框架材料形成的引线以及在所述IC管芯的端子和由引线框架材料形成的所述引线之间形成的电连接;以及
焊料接合加强片,其从所述IC封装的所述引线中的一个向外突出,其中所述焊料接合加强片具有被纵向定向在第一方向的第一侧面、与所述第一侧面相对并且与所述第一侧面平行的第二侧面、被定向在垂直于所述第一侧面的第二方向的第三侧面、与所述第三侧面相对并且与所述第三侧面平行的第四侧面、以及形成所述焊料接合加强片的末端部分的第五侧面,并且所述焊料接合加强片包括引线框架基底金属,所述引线框架基底金属具有在所述第二侧面、第三侧面和第四侧面上和所述第五侧面的一部分上的可焊接金属层。
10.根据权利要求9所述的IC封装,其中,所述焊料接合加强片包括切割槽引线框架材料。
11.根据权利要求9所述的IC封装,其中所述焊料接合加强片包括所述可焊接金属层,所述可焊接金属层是选自:镍层、金层、钯层和镍层加钯层中的一种。
12.根据权利要求9所述的IC封装,其中所述焊料接合加强片具有在约30μm至50μm的范围内的厚度。
13.根据权利要求9所述的IC封装,其中,所述焊料接合加强片具有从所述IC封装的外围在所述第一方向纵向延伸的约30μm至70μm的长度。
14.根据权利要求9所述的IC封装,其中所述焊料接合加强片从所述IC封装的基底水平地突出。
15.根据权利要求9所述的IC封装,其中所述焊料接合加强片与所述IC封装的垂直侧壁并排延伸。
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