[发明专利]半导体器件的互连结构

说明书

提供了一种半导体器件的互连结构。所述互连结构包括：下互连线，位于基板上；层间介电层，位于下互连线上；接触塞，设置在层间介电层中并且包括下部部分和上部部分，接触塞的上部部分具有在第一方向上的第一上部宽度和在垂直于第一方向的第二方向上的第二上部宽度，接触塞的下部部分接触下互连线并且具有下部宽度；以及上互连线，设置在层间介电层中并且接触接触塞的上部部分，上互连线沿第一方向延伸并且具有在第二方向上的线宽度，其中，接触塞的第一上部宽度大于上互连线的线宽度，并且其中，上互连线的线宽度大于接触塞的第二上部宽度。

本申请是向中国国家知识产权局提交的申请日为2013年12月23日的标题为“用于半导体器件的互连结构及其制造方法和半导体器件”的第201310740175.1号申请的分案申请。

技术领域

本发明构思的示例实施例涉及半导体器件及其制造方法，具体地，涉及用于半导体器件的互连结构及其形成方法。

背景技术

由于半导体器件的小尺寸、多功能性和/或低成本特性，使得半导体器件成为电子产业中的重要元件。半导体器件可以包括若干单元组件(例如，MOS晶体管、电阻器、电容器和/或互连线)。单元组件可以包括各种图案(例如，导线、掺杂区、器件隔离图案、孔和/或电极)。

然而，随着半导体器件的集成度提高，在制造半导体器件时会出现若干技术问题。例如，随着图案的密度和/或高度的增加，在执行光刻工艺和/或蚀刻工艺时的困难会增大(例如，工艺余量减小)。

发明内容

本发明构思的示例实施例提供了用于半导体器件的高度可靠的互连结构。

本发明构思的其它示例实施例提供了形成用于半导体器件的高度可靠的互连结构的方法。

根据本发明构思的示例实施例，一种半导体器件的互连结构包括：下互连线，位于基板上；层间介电层，位于下互连线上；接触塞，设置在层间介电层中并且包括下部部分和上部部分，接触塞的上部部分具有在第一方向上的第一上部宽度和在垂直于第一方向的第二方向上的第二上部宽度，接触塞的下部部分接触下互连线并且具有下部宽度；以及上互连线，设置在层间介电层中并且接触接触塞的上部部分，上互连线沿第一方向延伸并且具有在第二方向上的线宽度，其中，接触塞的第一上部宽度大于上互连线的线宽度，并且其中，上互连线的线宽度大于接触塞的第二上部宽度。

在一些示例实施例中，接触塞的下部宽度小于接触塞的第二上部宽度。

在一些示例实施例中，层间介电层包括氮化硅和氮氧化硅中的至少一种。

在一些示例实施例中，层间介电层包括覆盖下互连线的蚀刻停止层，蚀刻停止层包括SiN、SiON、SiC、SiCN和BN中的至少一种。

在一些示例实施例中，上互连线的上表面与层间介电层的上表面基本共面。

在一些示例实施例中，接触塞包括钨，上互连线包括铜或铜合金。

在一些示例实施例中，接触塞还包括第一阻挡金属层，上互连线还包括第二阻挡金属层。

在一些示例实施例中，第一阻挡金属层和第二阻挡金属层均包括从Ta、TaN、TaSiN、Ti、TiN、TiSiN、W和WN的组中选择的至少一种金属性材料。