[发明专利]一种调节感应加热提拉法晶体生长温场梯度的装置及其方法

权利要求书

1.一种调节感应加热提拉法晶体生长温场梯度的装置，包括炉膛(1)、氧化锆底座(2)、氧化锆保温桶(3)、盖板(4)、金属环(5)、坩埚(6)和感应加热线圈(7)，其特征在于：

所述氧化锆底座(2)安装在炉膛(1)内，所述氧化锆保温桶(3)安装在氧化锆底座(2)上，氧化锆保温桶(3)内设有固定槽(31)，所述金属环(5)安装在固定槽(31)内，所述坩埚(6)安装在氧化锆底座(2)上并与氧化锆保温桶(3)接触。

2.根据权利要求1所述的一种调节感应加热提拉法晶体生长温场梯度的装置，其特征在于：所述坩埚(6)位于金属环(5)正下方。

3.根据权利要求1所述的一种调节感应加热提拉法晶体生长温场梯度的装置，其特征在于：两块所述盖板(4)安装在氧化锆保温桶(3)上，两块盖板(4)之间设有间隙。

4.根据权利要求1所述的一种调节感应加热提拉法晶体生长温场梯度的装置，其特征在于：所述感应加热线圈(7)安装在氧化锆保温桶(3)外侧。

5.一种调节感应加热提拉法晶体生长温场梯度的方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1，将坩埚(6)内放入待生长的晶体原料，接着将感应加热线圈(7)与交变电源电性连接，通电后感应加热线圈(7)产生交变磁场。

S2，感应加热线圈(7)产生交变磁场作用在坩埚(6)上产生涡流，此时坩埚(6)加热并对其内部的晶体原料加热使得晶体处于融化状态。

S3，通过穿过金属环(5)的提拉杆对开始结晶的晶体进行提拉，其中提拉杆做旋转以及上升运动，此时晶体被提升。

S4，提升的过程中金属环(5)在交变磁场的作用下产生热量，根据晶体提拉过程中所需温度梯度来确定槽(31)的高度，此时金属环(5)的高度随之调节，由于金属环(5)与交变磁场的距离能够调节金属环(5)的温度，所以达到调节坩埚(6)上方温度梯度的效果。