[发明专利]一种超疏水纳米涂层及其制备方法有效
| 申请号： | 201810200138.4 | 申请日： | 2018-03-12 |
| 公开（公告）号： | CN110257801B | 公开（公告）日： | 2021-03-16 |
| 发明（设计）人： | 王少龙;江南;易剑;李赫;杨科;褚伍波 | 申请（专利权）人： | 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 |
| 主分类号： | C23C16/32 | 分类号： | C23C16/32;B82Y40/00;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 上海一平知识产权代理有限公司 31266 | 代理人： | 崔佳佳;马莉华 |
| 地址： | 315201 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 疏水 纳米 涂层 及其 制备 方法 | ||
1.一种纳米涂层，其特征在于，所述的纳米涂层为碳化钛多孔网状纳米墙结构涂层；
并且，所述的纳米涂层为通过包括下述步骤的方法制备的纳米涂层：
(1)提供基材，所述的基材为表面进行预处理的基材；其中，所述的预处理包括步骤：(a) 向炉内通入第一辅助气体，并对所述的基材进行预处理；
步骤(a)中，所述的预处理还包括：在气体流量为100-200 sccm下，对CVD炉进行程序加热至350～500℃后，对所述CVD炉进行保温15-40min，然后继续程序升温；并且在所述的保温过程中，增加气体流量至300～800sccm；
(2)通过气相沉积法，在所述的基材表面沉积得到所述的碳化钛多孔网状纳米墙结构涂层。
2.如权利要求1所述的纳米涂层，其特征在于，所述纳米墙结构的厚度为10-150nm。
3.如权利要求1所述的纳米涂层，其特征在于，所述纳米墙结构涂层包含非晶相结构。
4.如权利要求1所述的纳米涂层，其特征在于，所述纳米墙结构的长度为1000-1500nm。
5.如权利要求1所述的纳米涂层，其特征在于，所述的纳米涂层中，碳含量为30～80wt%，且所述的钛含量为20～70wt%。
6.如权利要求5所述的纳米涂层，其特征在于，碳含量为40～70wt%，且钛含量为30～60wt%。
7.如权利要求5所述的纳米涂层，其特征在于，碳含量为50～60wt%，且及钛含量为40～50wt%。
8.一种制备如权利要求1所述的纳米涂层的方法，其特征在于，包括步骤：
(1)提供基材，所述的基材为表面进行预处理的基材；其中，所述的预处理包括步骤：(a) 向炉内通入第一辅助气体，并对所述的基材进行预处理；
步骤(a)中，所述的预处理还包括：在气体流量为100-200 sccm下，对CVD炉进行程序加热至350～500℃后，对所述CVD炉进行保温15-40min，然后继续程序升温；并且在所述的保温过程中，增加气体流量至300～800sccm；
(2)通过气相沉积法，在所述的基材表面沉积得到所述的碳化钛多孔网状纳米墙结构涂层。
9.如权利要求8所述的方法，其特征在于，步骤(a)中，所述的第一辅助气体选自下组：还原性气体，和任选的惰性气体。
10.如权利要求8所述的方法，其特征在于，步骤(a)中，所述程序加热的速率为5～15℃/min。
11.如权利要求8所述的方法，其特征在于，步骤(2)中，所述的气相沉积法包括：在沉积温度下，向CVD炉内通入碳源及钛源；其中，所述的沉积温度为900～1000℃。
12.一种超疏水材料，其特征在于，所述的材料包括：基材，及基材表面的如权利要求1中所述的纳米涂层。
13.如权利要求12所述的超疏水材料，其特征在于，所述的基材为合金基材。
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C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
