[发明专利]薄膜晶体管的制作方法、显示基板的制作方法及显示器件有效

申请号：	201810200180.6	申请日：	2018-03-12
公开（公告）号：	CN108336024B	公开（公告）日：	2020-12-04
发明（设计）人：	王承贤;杨静	申请（专利权）人：	绵阳京东方光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司
主分类号：	H01L21/77	分类号：	H01L21/77;H01L27/12
代理公司：	北京银龙知识产权代理有限公司 11243	代理人：	许静;蔡丽
地址：	621050 四川省***	国省代码：	四川;51
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摘要：
搜索关键词：	薄膜晶体管制作方法显示器件
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【说明书】：

本发明涉及显示领域，特别涉及一种薄膜晶体管的制作方法、显示基板的制作方法及显示器件。所述薄膜晶体管的制作方法，包括形成有源层的步骤和形成覆盖所述有源层的绝缘层的步骤，还包括：在对所述绝缘层进行构图形成暴露出所述有源层的过孔之后，利用等离子体对所述有源层暴露出的表面进行处理，去除所述有源层表面的有机杂质和/或氧化物。所述薄膜晶体管的制作方法采用干法处理有源层表面的有机杂质，避免药液污染，提高产品性能的稳定性。对于以金属氧化物为有源层的薄膜晶体管，还可以避免对金属氧化物的损伤，在较小的均一性变异下完成产品的管控。

技术领域

本发明涉及显示领域，特别涉及一种薄膜晶体管的制作方法、显示基板的制作方法及显示器件。

背景技术

OLED显示面板具有基于有机发光二极管的像素阵列。每个像素包括有机发光二极管和用于控制向有机发光二极管施加信号的薄膜晶体管。

薄膜晶体管的制备过程一般是：按照顺序依次沉积不同的膜层，如栅极、栅绝缘层、有源层、源极及漏极等。源极和漏极与有源层相接触。当有源层上覆盖有绝缘层时，源漏极则通过过孔与有源层接触。形成过孔后，为了避免过孔暴露的有源层表面存在杂质，影响源漏极与有源层的接触，通常采用化学药液清洗有源层表面，去除有源层表面的氧化物及有机杂质。

化学药液清洗有源层表面时，化学药液浓度变化以及污染均可能导致薄膜晶体管的性能变化；而且化学药液容易对金属氧化物有源层造成损伤，导致薄膜晶体管驱动的失效或者不稳定。

发明内容

本发明要解决的技术问题一种薄膜晶体管的制作方法、显示基板的制作方法及显示器件，所述薄膜晶体管的制作方法采用干法处理有源层表面的有机杂质，避免药液污染，提高产品性能的稳定性。对于以金属氧化物为有源层的薄膜晶体管，还可以避免对金属氧化物的损伤，在较小的均一性变异下完成产品的管控。

本发明公开了一种薄膜晶体管的制作方法，包括形成有源层的步骤和形成覆盖所述有源层的绝缘层的步骤，所述制作方法还包括：

在对所述绝缘层进行构图形成暴露出所述有源层的过孔之后，利用等离子体对所述有源层暴露出的表面进行处理，去除所述有源层表面的有机杂质和/或氧化物。

优选地，所述薄膜晶体管包括低温多晶硅薄膜晶体管和金属氧化物薄膜晶体管，所述有源层包括所述低温多晶硅有源层和金属氧化物有源层。

优选地，利用等离子体对所述有源层暴露出的表面进行处理的步骤包括：

利用预设气体对有源层的表面进行等离子轰击，去除有源层表面的有机杂质和/或氧化物；

利用含有氢原子的气体对等离子轰击后的有源层表面进行等离子体修复。

优选地，所述预设气体为氮气、氩气或者氦气。

优选地，所述进行等离子轰击时的功率在1～10kw，压力为10～1000Torr。

优选地，所述利用含有氢原子的气体对等离子轰击后的有源层表面进行等离子体修复时的功率小于3kw，压力为1～10Torr。