[发明专利]一种石墨烯导电膜的制备方法在审

专利信息
申请号: 201810201001.0 申请日: 2018-03-12
公开(公告)号: CN108399978A 公开(公告)日: 2018-08-14
发明(设计)人: 孙清友 申请(专利权)人: 孙清友
主分类号: H01B13/00 分类号: H01B13/00;H01B5/04;C01B32/184;C01B32/194
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地址: 102299 北京市*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 石墨烯 制备 石墨烯导电薄膜 导电膜 乙炔 制备方法过程 同步完成 制备过程 金属铜 氧还原 燃爆 铜粉 铜膜 生产成本 破损 基点 腐蚀 污染
【权利要求书】:

1.一种石墨烯导电膜的制备方法,其特征在于:包括以下步骤:

S1:将铜制备成铜粉待用;

S2:在室温下将一定质量比的乙炔、硅粉加入到环丙基乙炔,混合均匀,干燥后置于燃爆器内的多孔镍箔片上;

S3:在多孔镍箔片的底部设置火花塞,利用火花塞点燃,产生燃爆反应,反应结束后通过多孔镍箔片上的孔,收集漏下的反应产物;

S4:取出反应产物后进行冷却,清洗、干燥后得到石墨烯颗粒;

S5:将上述步骤S4中得到的氧化石墨烯溶液中加入适量的铜粉,离心搅拌混合均匀,得到氧化石墨烯与铜粉的混合溶液;

S6:上述步骤S4中得到的混合溶液均匀的涂覆在事先涂好脱模剂的PET膜上;

S7:涂覆完成后,在表面黏贴热释放胶带,并将铜薄膜从石墨基底表面剥离,得到由热释放胶带、石墨烯和铜组成的第一复合膜;

S8:在电解质溶液中,以石墨为阴极、所述第一复合膜为阳极,利用电化学方法腐蚀除去金属铜,得到由热释放胶带和石墨烯组成的第二复合膜,并在阴极石墨表面沉积得到金属铜薄膜;

S9:将所述第二复合膜放置在透明基底表面上,并使石墨烯与透明基底直接接触,然后将其放入-20-10℃冷冻箱中冷冻1-2h后,再后用纳米干燥机干燥得到石墨烯复合导电膜。

2.根据权利要求1所述的石墨烯导电膜的制备方法,其特征在于:所述石墨烯颗粒和铜粉的重量比为1:1.2。

3.根据权利要求2任一项所述的石墨烯导电膜的制备方法,其特征在于:所述石墨烯颗粒比表面积为60-90m2/g。

4.根据权利要求1-3任一项所述的石墨烯导电膜的制备方法,其特征在于:所述乙炔、硅粉和环丙基乙炔的重量比为(82-98):(1.5-3):(5-10)。

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