[发明专利]显示基板及其制造方法、显示装置有效
申请号: | 201810201136.7 | 申请日: | 2018-03-12 |
公开(公告)号: | CN108417585B | 公开(公告)日: | 2021-04-13 |
发明(设计)人: | 胡海峰;张明;曾亭;殷刘岳;陈璀;许占齐 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;合肥鑫晟光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/77;H01L21/82 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 汪源;陈源 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 及其 制造 方法 显示装置 | ||
本发明提供一种显示基板及其制造方法、显示装置。该显示基板包括衬底基板、金属结构、导电结构和保护层,所述金属结构位于所述衬底基板上方,所述导电结构位于所述金属结构的远离衬底基板的一侧,所述保护层覆盖所述金属结构的侧边。本发明所提供的显示基板及其制造方法、显示装置的技术方案,有效保证了显示装置的触控体验效果,保证了显示装置的良率和品质,以及降低了显示装置的制造及维修成本。
技术领域
本发明涉及显示技术领域,特别涉及一种显示基板及其制造方法、显示装置。
背景技术
目前,在触摸屏的制程中,要实现触摸功能,需要制备金属走线(metal trace),以实现信号的输出,同时需制备异方性导电胶膜(Anisotropic Conductive Film,简称:ACF)接触区,以实现ACF与金手指(Bonding Pad)相接,从而实现最终的触控功能。但在触摸屏的制程中,金属走线通常会与空气或者水汽相接触,而且在触摸屏的传感器(sensor)的制备过程中,金属走线容易接触到各种反应显影溶剂、刻蚀溶剂等。
目前触摸屏技术中的金属走线,其材料主要为铝、铜以及其合金或者金属与合金的复合叠层等。而在传感器制程中金属走线与空气、水汽以及制程的反应介质相接触,容易发生化学腐蚀反应,使得金属走线表面及其侧边形成金属氧化物或可溶性物质,造成金属走线附着力变差以及电阻升高,影响了信号传递,从而影响了触控体验效果;且金属走线长时间的与反应介质接触,会进一步缩短产品的使用寿命,最终影响了产品的良率和品质,增加了产品的制造及维修成本。
发明内容
本发明旨在至少解决现有技术中存在的问题之一,提供一种显示基板及其制造方法、显示装置,用于实现有效保证显示装置的触控体验效果,保证显示装置的良率和品质,以及降低显示装置的制造及维修成本。
为实现上述目的,本发明提供了一种显示基板,该显示基板包括衬底基板、金属结构、导电结构和保护层,所述金属结构位于所述衬底基板上方,所述导电结构位于所述金属结构的远离衬底基板的一侧,所述保护层覆盖所述金属结构的侧边。
可选地,所述显示基板包括显示区域和非显示区域,所述非显示区域位于所述显示区域的周围;
所述金属结构、所述导电结构和所述保护层位于所述显示基板的非显示区域。
可选地,所述金属结构为金属走线。
可选地,所述导电结构的材料为ITO。
可选地,所述金属结构为单层金属结构,所述金属结构的材料为铜、铝或者金属合金;或者
所述金属结构为多层金属结构,每层金属结构的材料为铜、铝或者金属合金。
可选地,所述显示基板包括显示区域和非显示区域,所述非显示区域位于所述显示区域的周围,所述金属结构位于所述显示基板的显示区域,所述金属结构包括第一触控结构,所述显示基板还包括第二触控结构及位于所述第一触控结构和所述第二触控结构之间的第一绝缘层。
为实现上述目的,本发明提供了一种显示装置,该显示装置包括上述的显示基板。
可选地,所述显示装置为触控显示装置。
为实现上述目的,本发明提供了一种显示基板的制造方法,该显示基板的制造方法包括:
在衬底基板上形成金属结构和导电结构,所述金属结构位于所述衬底基板上方,所述导电结构位于所述金属结构的远离衬底基板的一侧;
在所述衬底基板上形成保护层,所述保护层覆盖所述金属结构的侧边。
可选地,所述在衬底基板上形成金属结构和导电结构包括:
在所述衬底基板上连续沉积金属材料层和导电材料层;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的