[发明专利]一种触控结构的制备方法、OLED触控显示装置

权利要求书

1.一种触控结构的制备方法，其特征在于，包括：

提供一显示面板；

在小于或等于100℃的温度下，在所述显示面板上形成第一导电图案层；

在小于或等于100℃的温度下，形成覆盖所述第一导电图案层的绝缘层，所述绝缘层设有连通所述第一导电图案层的过孔；

在小于或等于100℃的温度下，在所述绝缘层上形成第二导电图案层；其中，所述第一导电图案层与所述第二导电图案层中通过所述过孔连接。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述在小于或等于100℃的温度下，在所述显示面板上形成第一导电图案层的步骤包括：

采用小于或等于100℃的镀膜温度，在所述显示面板上形成第一导电层；

在小于或等于100℃的温度下，对所述第一导电层进行图案化处理。

3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述在小于或等于100℃的温度下，对所述第一导电层进行图案化处理的步骤包括：

采用小于或等于100℃的固化温度，依次对所述第一导电层进行光阻涂布、曝光及显影；

对所述第一导电层进行蚀刻；

其中，所述对所述第一导电层进行蚀刻的步骤包括：

在小于或等于100℃的蚀刻温度中，对所述第一导电层进行干法蚀刻；或

对所述第一导电层进行湿法蚀刻。

4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述在小于或等于100℃的温度下，形成覆盖所述第一导电图案层的绝缘层的步骤包括：

通过小于或等于100℃的化学气相沉积法，沉积无机绝缘材料以形成覆盖所述第一导电图案层的绝缘材料层；

采用小于或等于100℃的固化温度，依次对所述绝缘材料层进行光阻涂布、曝光及显影；

对所述绝缘材料层进行蚀刻，以形成连通所述第一导电图案层的过孔；

其中，所述对所述绝缘材料层进行蚀刻的步骤包括：

在小于或等于100℃的蚀刻温度中，对所述绝缘材料层进行干法蚀刻；或

对所述绝缘材料层进行湿法蚀刻。

5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述在小于或等于100℃的温度下，形成覆盖所述第一导电图案层的绝缘层的步骤包括：

采用小于或等于100℃的固化温度，涂布绝缘光阻材料以形成覆盖所述第一导电图案层的绝缘光阻层；

采用小于或等于100℃的固化温度，对所述绝缘光阻层进行曝光及显影；

对所述绝缘光阻层进行蚀刻，以形成连通所述第一导电图案层的过孔；

其中，所述对所述绝缘光阻层进行蚀刻的步骤包括：

在小于或等于100℃的蚀刻温度中，对所述绝缘光阻层进行干法蚀刻；或

对所述绝缘光阻层进行湿法蚀刻。

6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述在小于或等于100℃的温度下，形成覆盖所述第一导电图案层的绝缘层的步骤包括：

采用喷墨打印技术形成覆盖所述第一导电图案层的绝缘层；

采用小于或等于100℃的固化温度固化所述绝缘层。

7.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述在小于或等于100℃的温度下，在所述绝缘层上形成第二导电图案层的步骤包括：

采用小于或等于100℃的镀膜温度，在所述绝缘层上形成第二导电层；

在小于或等于100℃的温度下，对所述第二导电层进行图案化处理，且使得所述所述第二导电图案层与所述第一导电图案层通过所述绝缘层上的过孔连接。

8.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，所述在小于或等于100℃的温度下，对所述第二导电层进行图案化处理的步骤包括：

采用小于或等于100℃的固化温度，依次对所述第二导电层进行光阻涂布、曝光及显影；

对所述第二导电层进行蚀刻；

其中，所述对所述第二导电层进行蚀刻的步骤包括：

在小于或等于100℃的蚀刻温度中，对所述第二导电层进行干法蚀刻；或

对所述第二导电层进行湿法蚀刻。