[发明专利]贴合晶圆的制造方法以及贴合晶圆在审

专利信息
申请号: 201810201351.7 申请日: 2018-03-12
公开(公告)号: CN108666259A 公开(公告)日: 2018-10-16
发明(设计)人: 石塚徹;田中纪通 申请(专利权)人: 信越半导体株式会社
主分类号: H01L21/762 分类号: H01L21/762
代理公司: 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 代理人: 张晶;谢顺星
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 晶圆 贴合 接合 基底晶 制造 离子注入层 氢离子 稀有气体离子 表面离子 晶圆技术 气体离子 旋转清洗 绝缘膜 外延层 薄膜 单晶 离子 清洗 剥离
【权利要求书】:

1.一种贴合晶圆的制造方法,该方法是从接合晶圆的表面离子注入氢离子、稀有气体离子的至少一种气体离子并在晶圆内部形成离子注入层,直接或者隔着绝缘膜贴合所述接合晶圆的进行了离子注入的表面与基底晶圆的表面后,通过在所述离子注入层使接合晶圆剥离,从而来制造在所述基底晶圆上具有薄膜的贴合晶圆,其特征在于,

作为所述接合晶圆和所述基底晶圆的至少一方而使用外延晶圆,

并通过单晶圆旋转清洗来进行该外延晶圆的形成外延层前的清洗。

2.根据权利要求1所述的贴合晶圆的制造方法,其特征在于,

作为所述基底晶圆而使用所述外延晶圆。

3.一种贴合晶圆,其在基底晶圆上直接或者隔着绝缘膜贴合有薄膜,其特征在于,

所述基底晶圆是具有外延层的外延晶圆,

在所述基底晶圆的外周部上表面中作为未形成有所述薄膜的部分的平台部,不存在作为所述外延层的成长所引起的凸缺陷的外延缺陷。

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