[发明专利]硬掩模用组合物

说明书

本发明提供一种硬掩模用组合物，其包含含有咔唑单元、联苯单元、和来源于甲醛或其合成等价物或者下述化学式3所表示的化合物中的至少一种的连接单元的缩聚物、及溶剂。由硬掩模用组合物能够形成耐蚀刻性、溶解性和平坦性同时提高了的硬掩模。下述化学式3中，R₂为碳原子数6～20的芳香族烃基，R₃和R₄各自独立地为氢、或碳原子数1～4的烷基。

技术领域

本发明涉及一种硬掩模用组合物。更详细而言，本发明涉及包含至少一种以上的芳香族化合物的缩聚物的硬掩模用组合物。

背景技术

例如，在半导体制造、微电子等领域中，电路、配线、绝缘图案之类的结构物的集成度正在持续增大。因此，用于上述结构物的微细图案化的光刻工序也被一同开发。

一般而言，在蚀刻对象膜上涂布光致抗蚀剂而形成光致抗蚀剂层，通过曝光及显影工序而形成光致抗蚀剂图案。接着，将上述光致抗蚀剂图案用作蚀刻掩模，将上述蚀刻对象膜部分地去除，从而可以形成预定的图案。在进行对于上述蚀刻对象膜的图像转印后，上述光致抗蚀剂图案可以通过灰化(ashing)和/或剥离(strip)工序而被去除。

为了抑制上述曝光工序中由光反射引起的分辨率降低，可以在上述蚀刻对象膜和上述光致抗蚀剂层之间形成防反射涂布(anti-refractive coating；ARC)层。该情况下，会追加对于上述ARC层的蚀刻，因此上述光致抗蚀剂层或光致抗蚀剂图案的消耗量或蚀刻量可能会增加。此外，上述蚀刻对象膜的厚度增加或形成期望的图案时所需的蚀刻量增加的情况下，可能无法确保所要求的上述光致抗蚀剂层或光致抗蚀剂图案的充分的耐蚀刻性。

因此，为了确保用于形成期望的图案的光致抗蚀剂的耐蚀刻性和蚀刻选择比，可以在上述蚀刻对象膜和上述光致抗蚀剂层之间追加抗蚀剂下部膜。

上述抗蚀剂下部膜优选具有例如对于高温蚀刻工序的充分的耐蚀刻性、耐热性，并且满足用于通过例如旋涂工序以均匀的厚度形成的特性。

韩国公开专利第10-2010-0082844号公开了抗蚀剂下部膜形成组合物的一例。

现有技术文献

专利文献

韩国公开专利第10-2010-0082844号

发明内容

所要解决的课题

本发明的一课题在于，提供能够形成具有优异的机械、化学特性且具有均匀的轮廓的硬掩模的硬掩模用组合物。

解决课题的方法

1.一种硬掩模用组合物，其包含：含有咔唑单元、联苯单元、和来源于甲醛或其合成等价物或者下述化学式3所表示的化合物中的至少一种的连接单元的缩聚物；及溶剂，

[化学式3]

(化学式3中，R₂为碳原子数6～20的芳香族烃基，R₃和R₄各自独立地为氢、或碳原子数1～4的烷基)。

2.如1所述的硬掩模用组合物，上述咔唑单元由下述化学式1表示：

[化学式1]

(化学式1中，R₁为氢、碳原子数1～10的烷基、碳原子数2～10的烯基、或碳原子数6～30的芳基(Aryl))。

3.如2所述的硬掩模用组合物，R₁为乙基、乙烯基或苯基。

4.如1所述的硬掩模用组合物，上述联苯单元来源于羟基联苯或二羟基联苯。