[发明专利]一种旱地矮砧苹果栽植根域肥水富集带构建方法在审

专利信息
申请号: 201810201942.4 申请日: 2018-03-12
公开(公告)号: CN108496501A 公开(公告)日: 2018-09-07
发明(设计)人: 李会科;高华;刘振中;杨芳;段宝珍;梁俊 申请(专利权)人: 西北农林科技大学
主分类号: A01C21/00 分类号: A01C21/00;A01G13/02;A01G17/00;E02F5/02
代理公司: 北京方圆嘉禾知识产权代理有限公司 11385 代理人: 董芙蓉
地址: 712100 陕*** 国省代码: 陕西;61
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摘要:
搜索关键词: 栽植 苹果 富集 根域 旱地 肥水 构建 成活率 丰产 发育 果树生长 苹果生长 苹果栽培 生长量 坐果率 有机肥 粗度 单株 花率 集雨 小沟 主杆 开挖 生长 覆盖
【权利要求书】:

1.一种旱地矮砧苹果栽植根域肥水富集带构建方法,其特征在于,包括以下步骤:

步骤1、小沟开带:沿果树栽植行开1m宽,深度为0.5m的栽植沟;

步骤2、根域有机肥富集处理:将开挖出的土壤与有机肥按照质量比7:3或6:4的比例配置营养土,配置同时根据栽植密度每株加入1.0kg磷肥,有机肥、磷肥与开挖的土壤充分混匀,然后回填到已开挖的栽植沟内;

步骤3、微垄覆盖:垄面以栽植的树干为中线,中间高,两边低,形成开张的弓形,垄面高差为5cm,垄面两侧宽度50cm;垄起好后,平整垄面、拍实土壤,覆黑色膜或黑色园艺地布时,要求把地膜拉紧、拉直、无皱纹、紧贴垄面;垄中央两侧地膜边缘以衔接为度,用细土压实;垄两侧地膜或黑色园艺地布边缘埋入土中4-5cm,将地膜或黑色园艺地布拉长3~4m后膜两边立即压土,渐次推进;

步骤4、挖集雨沟:地膜或园艺地布覆好后,在垄面两侧距离地膜边缘3cm处沿行向开挖修整深、宽15cm的集雨沟,要求沟底平直,便于雨水分布均匀,园内地势不平、集雨沟长时,每隔2~3株间距在集雨沟内修一横档。

2.根据权利要求1所述的旱地矮砧苹果栽植根域肥水富集带构建方法,其特征在于,步骤1中,小沟开带中使用小型挖掘机或果园专业开沟机械开挖。

3.根据权利要求1所述的旱地矮砧苹果栽植根域肥水富集带构建方法,其特征在于,步骤2中的有机肥为腐熟后的有机肥,包括腐熟后的羊粪、牛粪,或者采用商品有机肥,用量为普通有机肥用量的1/10。

4.根据权利要求1所述的旱地矮砧苹果栽植根域肥水富集带构建方法,其特征在于,步骤3中用黑色地膜覆盖时,地膜厚度要求0.010~0.012mm的地膜。

5.根据权利要求1所述的旱地矮砧苹果栽植根域肥水富集带构建方法,其特征在于,步骤3中用黑色地膜或黑色园艺地布覆盖时,黑色地膜或黑色园艺地布宽度50cm,生产中若矮砧苹果栽植株行距为1m×4m,需黑色地膜或园艺地布2505m/公顷。

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