[发明专利]灵敏放大器

说明书

本发明提供了一种灵敏放大器，所述灵敏放大器用于一闪存存储器中，所述灵敏放大器包括预充电电路、第一电容、第一反相器和与所述第一反相器并联的第一传输门，其中：所述预充电电路连接所述闪存存储器的参考电压端，并通过所述参考电压端向所述闪存存储器的位线上预充电，预充电结束后参考电压端的电位保持不变；所述参考电压端根据所述闪存存储器的状态调整其电位，直至所述第一反相器的输出电压变化；所述第一电容的一端连接所述参考电压端，另一端连接所述第一反相器的输入端和所述第一传输门的第一端；所述第一反相器的输出端连接所述第一传输门的第二端。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种灵敏放大器。

背景技术

现代通信产品中广泛应用存储技术，灵敏放大器(也即读出放大器)是存储电路的一个关键组件，在传统的闪存存储器的单端灵敏放大器(如图1所示，包括存储单元100、列译码器200和电流镜电路300)中，如图2所示，由于参考电压端A’在T1时间段被预充电到电源电压VDD，在T2时间段做读取‘1’的操作时，参考电压端A’要被放电好几百毫伏，才能达到第二级的灵敏放大器400的翻转电压点，从而导致需要较长的数据读取时间(整个T2时间段)。在非易失闪存单元，例如NOR flash，处于弱擦除状态，读取电流较小时，尤为明显。另外，对于第二级的灵敏放大器400，其结构内的晶体管M100和M200的性能指标失配也会导致灵敏放大器翻转电压点存在变化。

发明内容

本发明的目的在于提供一种灵敏放大器，以解决现有的闪存存储器中的灵敏放大器的数据读取时间久的问题。

为解决上述技术问题，本发明提供一种灵敏放大器，所述灵敏放大器用于一闪存存储器中，所述灵敏放大器包括预充电电路、第一电容、第一反相器和与所述第一反相器并联的第一传输门，其中：

所述预充电电路连接所述闪存存储器的参考电压端，并通过所述参考电压端向所述闪存存储器的位线上预充电，预充电结束后参考电压端的电位保持不变；

所述参考电压端根据所述闪存存储器的状态调整其电位，直至所述第一反相器的输出电压变化；

所述第一电容的一端连接所述参考电压端，另一端连接所述第一反相器的输入端和所述第一传输门的第一端；

所述第一反相器的输出端连接所述第一传输门的第二端。

可选的，在所述的灵敏放大器中，所述灵敏放大器还包括第二反相器和第三反相器，其中，所述第二反相器的输入端连接所述第一反相器的输出端，所述第二反相器的输出端连接所述第三反相器的输入端。

可选的，在所述的灵敏放大器中，所述预充电电路包括第一晶体管和第二传输门，其中：

所述第一晶体管为P沟道场效应晶体管，所述第一晶体管的栅极连接所述第一晶体管的漏极，所述第一晶体管的源极连接电源电压，第二传输门一端连接所述第一晶体管的漏极，另一端连接所述参考电压端。

可选的，在所述的灵敏放大器中，所述第一传输门由第一控制信号控制，当所述第一控制信号的电平为接地电平时，所述第一传输门的两端电位相等，当所述第一控制信号的电平为电源电压时，所述第一传输门的两端电位相异。

可选的，在所述的灵敏放大器中，所述第二传输门由第一控制信号控制，当所述第一控制信号的电平为接地电平时，所述第二传输门的两端电位相等，当所述第一控制信号的电平为电源电压时，所述第二传输门的两端电位相异。

可选的，在所述的灵敏放大器中，所述闪存存储器还包括电流镜电路、存储单元和列译码器，其中：所述存储单元连接所述列译码器，所述列译码器连接所述电流镜电路。

可选的，在所述的灵敏放大器中，所述电流镜电路包括第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管和第五晶体管，其中：