[发明专利]低温多晶硅、薄膜晶体管及阵列基板的制作方法在审
| 申请号： | 201810202160.2 | 申请日： | 2018-03-12 |
| 公开（公告）号： | CN108346562A | 公开（公告）日： | 2018-07-31 |
| 发明（设计）人： | 徐向阳 | 申请（专利权）人： | 深圳市华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L27/12;H01L21/336 |
| 代理公司： | 深圳市德力知识产权代理事务所 44265 | 代理人： | 林才桂;刘巍 |
| 地址： | 518132 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 低温多晶硅 阵列基板 薄膜晶体管 非晶硅层 半透膜 制作 多晶硅层 缓冲层 掩模板 基板 低温多晶硅薄膜晶体管 多晶硅薄膜晶体管 准分子激光退火 多晶硅结晶 衬底表面 干法刻蚀 电性能 多晶硅 图案化 透光 产能 衬底 遮挡 释放 制造 生产 | ||
【权利要求书】：
1.一种低温多晶硅制作方法，其特征在于，包括：
提供基板，在所述基板上形成缓冲层；
在所述缓冲层上形成非晶硅层；
在半透膜掩模板的遮挡下对所述非晶硅层进行准分子激光退火处理，使所述非晶硅层转变为多晶硅层；
所述半透膜掩模板包括透光的衬底和设于所述衬底表面的图案化的半透膜。
2.如权利要求1所述的低温多晶硅制作方法，其特征在于，所述图案化的半透膜对应于非晶硅层的非硅岛区。
3.如权利要求1所述的低温多晶硅制作方法，其特征在于，所述缓冲层厚度为1000埃～2000埃。
4.如权利要求1所述的低温多晶硅制作方法，其特征在于，所述缓冲层为SiNx/SiO2双层结构。
5.如权利要求1所述的低温多晶硅制作方法，其特征在于，所述缓冲层为SiNx/SiNO/SiO2三层结构。
6.如权利要求1所述的低温多晶硅制作方法，其特征在于，所述非晶硅层厚度为300埃～800埃。
7.如权利要求1所述的低温多晶硅制作方法，其特征在于，所述衬底为透光的大理石衬底。
8.一种低温多晶硅薄膜晶体管制作方法，其特征在于，应用如权利要求1～7中任一项所述的低温多晶硅制作方法制作低温多晶硅层。
9.一种低温多晶硅薄膜晶体管阵列基板制作方法，其特征在于，应用如权利要求8所述的低温多晶硅薄膜晶体管制作方法制作低温多晶硅薄膜晶体管。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
