[发明专利]用于对半导体元件进行键合的系统及方法

权利要求书

1.一种对半导体元件进行超声键合的方法，所述方法包括以下步骤：

(a)将第一半导体元件的多个第一导电结构的表面与第二半导体元件的多个第二导电结构的相应表面对准，其中所述第一导电结构和所述第二导电结构中的至少一种导电结构的键合表面包括易碎涂层；以及

(b)将所述第一导电结构中的若干个第一导电结构超声键合至所述第二导电结构中相应的若干个第二导电结构。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一半导体元件是半导体裸片。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一半导体元件和所述第二半导体元件中的每个是相应的半导体裸片。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一半导体元件包括半导体裸片。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一半导体元件和所述第二半导体元件中的每个包括相应的半导体裸片。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，还包括以下步骤：使所述第一半导体元件朝着所述第二半导体元件移动，使得所述第一导电结构的下表面与相应的所述第二导电结构的上表面接触。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，还包括以下步骤：在所述步骤(b)的至少一部分期间，在所述第一半导体元件和所述第二半导体元件之间施加压力。

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，还包括以下步骤：在所述步骤(b)期间，使所述第一导电结构中的若干个第一导电结构变形。

9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤(b)在环境温度下进行。

10.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，还包括以下步骤：在所述步骤(b)的至少一部分期间对所述第一半导体元件和所述第二导电元件中的至少一个进行加热。

11.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，还包括以下步骤：在所述步骤(b)的至少一部分期间，使用保持所述第一半导体元件的键合工具来对所述第一半导体元件进行加热。

12.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，还包括以下步骤：在所述步骤(b)的至少一部分期间，使用在所述步骤(b)期间支撑所述第二半导体元件的支撑结构来对所述第二半导体元件进行加热。

13.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述多个第一导电结构和所述多个第二导电结构中的至少一种导电结构由铜形成。

14.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述多个第一导电结构和所述多个第二导电结构均为铜导电结构。

15.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述多个第一导电结构和所述多个第二导电结构中的至少一种导电结构在邻近所述多个第一导电结构和所述多个第二导电结构中的另一种导电结构的界面部分处包括铜。

16.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤(b)包括，使用在所述步骤(b)期间保持所述第一半导体元件的键合工具来将所述第一导电结构中的若干个第一导电结构超声键合至所述第二导电结构中相应的若干个第二导电结构。

17.根据权利要求16所述的方法，其特征在于，在所述步骤(b)期间，所述键合工具与超声换能器接合以提供超声能量。

18.根据权利要求16所述的方法，其特征在于，所述键合工具利用真空来在所述步骤(b)期间保持所述第一半导体元件。