[发明专利]一种单级有源阻抗网络DC-DC变换器在审
| 申请号： | 201810205323.2 | 申请日： | 2018-03-13 |
| 公开（公告）号： | CN108322043A | 公开（公告）日： | 2018-07-24 |
| 发明（设计）人： | 王志洋;张桂东;陈思哲;李惜玉;章云 | 申请（专利权）人： | 广东工业大学 |
| 主分类号： | H02M3/07 | 分类号： | H02M3/07 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 张春水;唐京桥 |
| 地址： | 510060 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 二极管 高增益 源阻抗 单级 电感 开关管模块 电容 网络 导通损耗 第一开关 电路结构 高占空比 开关信号 直流电源 传统的 开关管 占空比 级联 电路 | ||
1.一种单级有源阻抗网络DC-DC变换器，其特征在于，包括：直流电源、第一电容、第二电容、第一二极管、第二二极管、第三二极管、第四二极管、第五二极管、第六二极管、第一电感、第二电感、第一开关管模块和第二开关管模块；
所述直流电源的正极分别与所述第一电感的第一端和所述第一二极管的阳极电连接；
所述第一电感的第二端分别与所述第二二极管的阳极和所述第三二极管的阳极电连接；
所述第一二极管的阴极分别与所述第二二极管的阴极和所述第二电感的第一端电连接；
所述第三二极管的阴极分别与所述第二电感的第二端、所述第四二极管的阳极、所述第二开关管模块的第一端和所述第二电容的第一端电连接，所述第三二极管、所述第二电感、所述第四二极管、所述第二开关管模块和所述第二电容的公共端与直流负载的第一端电连接；
所述第四二极管的阴极分别与所述第一开关管模块的第一端和所述第一电容的第一端电连接；
所述第二开关管模块的第二端分别与所述第一电容的第二端、所述第五二极管的阳极和所述第六二极管的阴极电连接；
所述第二电容的第二端与所述第六二极管的阳极电连接，所述第二电容和所述第六二极管的公共端与所述直流负载的第二端电连接；
所述直流电源的负极分别与所述第一开关管模块的第二端和第五二极管的阴极电连接。
2.根据权利要求1所述的一种单级有源阻抗网络DC-DC变换器，其特征在于，所述第一电感和所述第二电感的电感值相等；
所述第一开关管模块和所述第二开关管模块同时开通或者同时关断。
3.根据权利要求1或2所述的一种单级有源阻抗网络DC-DC变换器，其特征在于，所述第一开关管模块由一个开关管组成；
所述第二开关管模块由一个开关管组成。
4.根据权利要求1或2所述的一种单级有源阻抗网络DC-DC变换器，其特征在于，所述第一开关管模块由至少两个开关管并联组成；
所述第二开关管模块由至少两个开关管并联组成。
5.根据权利要求1或2所述的一种单级有源阻抗网络DC-DC变换器，其特征在于，所述第一开关管模块和所述第二开关管模块中的开关管均为NMOS，其中，第一开关管模块的第一端为第一开关管模块内NMOS的漏极，第二开关管模块的第一端为第二开关管模块内NMOS的漏极，第一开关管模块的第二端为第一开关管模块内NMOS的源极，第二开关管模块的第二端为第二开关管模块内NMOS的源极。
6.根据权利要求1或2所述的一种单级有源阻抗网络DC-DC变换器，其特征在于，所述第一开关管模块和所述第二开关管模块中的开关管均为IGBT，其中，第一开关管模块的第一端为第一开关管模块内IGBT的集电极，第二开关管模块的第一端为第二开关管模块内IGBT的集电极，第一开关管模块的第二端为第一开关管模块内IGBT的发射极，第二开关管模块的第二端为第二开关管模块内IGBT的发射极。
7.根据权利要求1或2所述的一种单级有源阻抗网络DC-DC变换器，其特征在于，所述第一电容和所述第二电容均为有极性电容，其中，所述第一电容和所述第二电容的第一端均为所述有极性电容的正端，所述第一电容和所述第二电容的第二端均为所述有极性电容的负端。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于广东工业大学，未经广东工业大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201810205323.2/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
