[发明专利]钙钛矿结构、应用其的电子装置、相关的光电转换层的制造方法

权利要求书

1.一种钙钛矿结构，设置于一基板，其特征在于，该钙钛矿结构包括：

多个晶粒，该些晶粒的材料为ABX3，其中A包括铯、甲胺、和甲脒的其中至少一者，B包括铅、锡、和锗的其中至少一者，X包括氯、溴、和碘的其中至少一者；

其中，在该基板上的部份该钙钛矿结构的单位表面积下，90％以上的该些晶粒具有介于3微米与5微米的范围内的尺寸；

其中，该钙钛矿结构的制备方法包括：

以一极性溶剂溶解一AX前驱物和一BX2前驱物，形成一钙钛矿前驱物混合溶液；

在一基板上涂布该钙钛矿前驱物混合溶液，形成一钙钛矿前驱物层；以及

对于该钙钛矿前驱物层进行一真空闪蒸步骤，以移除该极性溶剂且形成该钙钛矿结构。

2.根据权利要求1所述的钙钛矿结构，其特征在于，该钙钛矿结构的部份表面具有中心线平均粗糙度为14纳米以下且大于0纳米。

3.根据权利要求1所述的钙钛矿结构，其特征在于，该钙钛矿结构的部份表面具有最大粗糙度小于80纳米且大于0纳米。

4.根据权利要求1所述的钙钛矿结构，其特征在于，该钙钛矿结构的部份表面具有最大粗糙度小于50纳米且大于0纳米。

5.根据权利要求1所述的钙钛矿结构，其特征在于，该钙钛矿结构包含一光电转换层。

6.根据权利要求1所述的钙钛矿结构，其特征在于，当进行X光绕射分析时，该钙钛矿结构的钙钛矿相的最大峰值I1与杂相的最大峰值I2的比值I1/I2介于4.7与10之间。

7.一种电子装置，其特征在于，包括：

权利要求1～6中任一项所述的钙钛矿结构；以及

一空穴源层和一电子源层，其中该钙钛矿结构设置于该空穴源层与该电子源层之间。

8.一种光电转换层的制造方法，其特征在于，包括：

以一极性溶剂溶解一AX前驱物和一BX₂前驱物，形成一钙钛矿前驱物混合溶液，其中A包括铯、甲基胺、和甲脒的其中至少一者，B包括铅、锡、和锗的其中至少一者，X包括氯、溴、和碘的其中至少一者；

在一基板上涂布该钙钛矿前驱物混合溶液，形成一钙钛矿前驱物层；以及

对于该钙钛矿前驱物层进行一真空闪蒸步骤，以移除该极性溶剂且形成一光电转换层，其中该真空闪蒸步骤是借由一抽真空设备将一反应容器中的气压从大气压降低至10^-1torr～10^-3torr；

其中，该抽真空设备包括一抽气孔和一挡板，该挡板配置于该抽气孔与形成有该钙钛矿前驱物层的该基板之间，该挡板包括多个孔洞，该些孔洞的尺寸为1毫米～10毫米。