[发明专利]一种太赫兹波段超材料传感器有效
申请号: | 201810205832.5 | 申请日: | 2018-03-13 |
公开(公告)号: | CN108414473B | 公开(公告)日: | 2021-07-13 |
发明(设计)人: | 潘武;闫彦君;沈大俊 | 申请(专利权)人: | 重庆邮电大学 |
主分类号: | G01N21/41 | 分类号: | G01N21/41;G01N21/01 |
代理公司: | 重庆市恒信知识产权代理有限公司 50102 | 代理人: | 刘小红;陈栋梁 |
地址: | 400065 重*** | 国省代码: | 重庆;50 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 赫兹 波段 材料 传感器 | ||
1.一种太赫兹波段超材料传感器,包括介质层,其特征在于,还包括附在所述介质层上的亚波长金属阵列,利用其谐振模式对折射率变化较为敏感的特性,将它用于对折射率的传感;所述亚波长金属阵列包含金属条(2) 和多个谐振环(1)组成的结构单元,所述谐振环(1)用于在太赫兹波激励下实现谐振,金属条(2) 用于引入结构的非对称性,实现类EIT效应,每个谐振环(1)为圆弧,多个谐振环(1)整体组合成为一个圆形谐振环,且在圆形谐振环的斜对称方向设有若干个大小相同的开口,金属条(2)位于圆形谐振环中且相对于圆形谐振环的中心上方位置处;
所述金属条(2)向上平移,形成在x方向的非对称结构,由金属条平移距离为0μm时表现出的亮模式和平移距离为1μm的表现出的暗模式发生强耦合,产生类EIT电磁诱导透明效应;
所述谐振环(1)的个数为4个,大小相同的开口的个数也为4个;
介质层材料为高阻硅,厚度为50.0μm,所述谐振环外半径为24.0μm,内半径为20.0μm,开口为3.0μm;所述金属条长为40.0μm,宽为4.0μm。
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