[发明专利]一种新型的具有较低漏电的多层结构在审
| 申请号： | 201810207159.9 | 申请日： | 2018-03-14 |
| 公开（公告）号： | CN110277493A | 公开（公告）日： | 2019-09-24 |
| 发明（设计）人： | 张丰庆;郭晓东;赵雪峰;范素华 | 申请（专利权）人： | 山东建筑大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;G11C11/22 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 250101 山东省济南市*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 多层结构 漏电流 载流子 直接沉积 薄膜 薄膜层材料 过渡层材料 漏电 接触状态 漏电特性 构筑 过渡层 基底层 界面处 两相 移动 | ||
【权利要求书】：
1.一种用于铁电存储器件的新型具有较低漏电的多层结构，其特征在于：它包括由下至上依次设置衬底层（1）、过渡层（2）、薄膜层（3），所述过渡层（2）材料为Sr2Bi4Ti5O18，所述的薄膜层（3）材料为BiFeO3和Sr2Bi4Ti5O18。
2.根据权利要求1中所述的用于铁电存储器件的新型具有较低漏电的多层结构，其特征在于：所述衬底层（1）材料为Pt/Ti/SiO2/Si（100）。
3.根据权利要求1中所述的用于铁电存储器件的新型具有较低漏电的多层结构，其特征在于：所述过渡层（2）材料为Sr2Bi4Ti5O18；材料具有较低的漏电流，较低的矫顽场强，较强的抗疲劳特性等优点。
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