[发明专利]一种高强度高导电性铝镁硅钙合金的制备方法有效

专利信息
申请号: 201810208279.0 申请日: 2018-03-13
公开(公告)号: CN108456796B 公开(公告)日: 2019-07-02
发明(设计)人: 边丽萍;周国华;万骞;孟棫朴;梁伟;赵兴国;杨璠 申请(专利权)人: 太原理工大学
主分类号: C22C1/10 分类号: C22C1/10;C22C1/03;C22C21/00;C22C32/00;C22F1/04
代理公司: 太原市科瑞达专利代理有限公司 14101 代理人: 江淑兰
地址: 030024 山西*** 国省代码: 山西;14
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摘要:
搜索关键词: 高导电性 制备 铝镁硅合金 钙合金 铝镁硅 力学性能 导电率 合金 等通道转角挤压 导电性 氩气 导电性能 浇铸成锭 真空熔炼 制备工艺 钙元素 伸长率 底吹 屈服 掺杂
【权利要求书】:

1.一种高强度高导电性铝镁硅钙合金的制备方法,其特征在于:使用的化学物材料为:铝、镁钙中间合金、硅、无水乙醇、石墨润滑剂、石墨、氩气,其准备用量如下:以毫米、克、毫升、厘米3为计量单位

制备方法如下:

(1)制备开合式浇铸模具

开合式浇铸模具用不锈钢材料制作,模具型腔呈矩形,型腔表面粗糙度Ra0.08-0.16μm;

(2)制备铝镁硅钙合金

铝镁硅钙合金的制备是在真空熔炼炉内进行的,是在抽真空、中频感应加热、氩气底吹过程中完成的;

①清理熔炼坩埚,打开真空熔炼炉,用金属铲、金属刷清理熔炼坩埚,然后用无水乙醇清洗熔炼坩埚内腔,使其洁净;

②加料:称取铝493.08g±0.01g、硅2.7g±0.01g,镁钙中间合金4.21g±0.01g,加入熔炼坩埚内;

③密闭炉腔,开启真空泵,抽出炉内空气,使炉内压强达1Pa;

④开启真空熔炼炉的中频感应加热器,加热熔炼坩埚内的合金材料,加热温度740℃±1℃;

⑤开启熔炼坩埚内底部的氩气底吹管,氩气底吹流量为300cm3/min,使炉内压强恒定在1个大气压;熔炼时间20min,使其熔化,成混合熔液;

混合熔液在熔炼过程中发生合金化反应,反应式如下:

式中:AlMgSiCa:铝镁硅钙合金

⑥熔炼后,停止加热,停止氩气底吹;

⑦浇铸,打开真空熔炼炉,取出熔炼坩埚,对准模具浇口进行浇铸,浇满为止;

⑧浇铸后,将模具及其内的铸件埋入细砂中,冷却至25℃;

⑨开模、打磨、清洗

打开开合式模具,取出铸件;

用400目砂纸打磨铸件周边及正反表面,使其光洁;

用无水乙醇进行清洗,清洗后晾干;

(3)线切割铸件

将铸件用线切割机床加工成矩形块状,块状尺寸为12mm×12mm×70mm;

(4)固溶、淬火

将矩形块用铝箔包裹,并填埋到装有石墨粉的铁盒中,然后置于加热炉内固溶处理,固溶温度550℃,固溶时间60min;

固溶后,将矩形块快速置于冷水箱内淬火,冷水温度20℃,淬火时间≤30s;

固溶后用400目砂纸打磨,然后用无水乙醇清洗,清洗后晾干;

(5)等通道转角挤压

①制备等通道转角挤压模具

等通道转角挤压模具用铬钼钢制作;

模具凹模型腔呈矩形,垂直型腔尺寸为12mm×12mm×80mm,横型腔尺寸为12mm×12mm×60mm;型腔表面粗糙度为Ra0.08-0.16μm;

垂直型腔与横型腔垂直夹角为90°;

挤压凸模与凹模配合制作,凸模表面粗糙度为Ra0.08-0.16μm;

②将等通道转角挤压模具垂直安放在立式挤压机上;

③将石墨润滑剂均匀加入到模具凹模型腔表面;

④将矩形铸件垂直加入模具型腔的垂直型腔内;

⑤压力机的垂直压力杆压住挤压凸模,并伸入垂直型腔内,压住矩形铸件,并施压,施压压强30MPa;矩形铸件进入模具型腔内;

⑥将挤压凸模垂直对准模具垂直型腔内的铸件,垂直施压,施压压强为40MPa;

矩形铸件在垂直型腔内进行塑性变形,并在横型腔挤出;

矩形铸件挤压四次,相邻道次铸件沿相同方向旋转90°,再次挤压;

⑦清洗

等通道转角挤压后,将挤压件用无水乙醇清洗,清洗后晾干;

(6)时效处理

将晾干后的矩形块用铝箔包裹并填埋到装有石墨粉的铁盒中,然后置于加热炉内时效处理,时效温度130℃,时效时间45h;

时效后,将矩形块置于空气中冷却至25℃;

冷却后用400目砂纸打磨,然后用无水乙醇清洗,清洗后晾干;

(7)检测、分析、表征

对制备的铝镁硅钙合金块的微观组织、化学成分和力学性能进行检测、分析、表征;

用扫描电子显微镜、能谱仪、透射电子显微镜和X射线衍射仪进行微观组织和化学成分分析;

用万能电子拉伸试验机进行拉伸力学性能测试;

用涡流电导率测试仪进行导电率测定;

结论:铝镁硅钙合金基体组织细化,纳米尺度的Mg2Si、Al2Ca颗粒均匀弥散分布于基体中;合金屈服强度达370MPa、抗拉强度达370MPa、伸长率达到12%,导电率为57.2%IACS。

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