[发明专利]包括钙钛矿化合物的光电转换器件、其制造方法以及包括其的成像装置

权利要求书

1.光电转换器件，包括：

第一传导层；

第二传导层；

在所述第一传导层和所述第二传导层之间的光电转换层；

在所述光电转换层和所述第一传导层之间的电子阻挡层；以及

在所述光电转换层和所述第二传导层之间的空穴阻挡层，

其中所述电子阻挡层包括由式1表示的第一钙钛矿化合物，和所述空穴阻挡层包括由式2表示的第二钙钛矿化合物：

式1

[A¹][B¹][X¹_(3-n)Y¹_n]

其中，在式1中，

A¹为至少一种单价有机阳离子、至少一种单价无机阳离子、或其任意组合，

B¹为至少一种二价无机阳离子，

X¹和Y¹各自独立地为至少一种单价阴离子，和

n为满足0≤n≤3的实数，以及

式2

[A²][B²][X²_(3-m)Y²_m]

其中，在式2中，

A²为至少一种单价有机阳离子、至少一种单价无机阳离子、或其任意组合，

B²为至少一种二价无机阳离子，

X²和Y²各自独立地为至少一种单价阴离子，和

m为满足0≤m≤3的实数，

其中所述电子阻挡层进一步包括极性聚合物，

在所述电子阻挡层中所述极性聚合物的量为5重量份至60重量份，相对于100重量份的所述由式1表示的第一钙钛矿化合物。

2.如权利要求1所述的光电转换器件，其中A¹和A²各自独立地选自(R₁R₂R₃R₄N)⁺、(R₁R₂R₃R₄P)⁺、(R₁R₂R₃R₄As)⁺、(R₁R₂R₃R₄Sb)⁺、(R₁R₂N＝C(R₃)-NR₄R₅)⁺、取代或未取代的环庚三烯Li⁺、Na⁺、K⁺、Rb⁺、Cs⁺、Fr⁺、及其任意组合；且

R₁-R₅以及取代的环庚三烯的至少一个取代基各自独立地选自氢、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、C₁-C₂₀烷基、C₂-C₁₀烯基、C₂-C₁₀炔基、C₁-C₂₀烷氧基、和-N(Q₁)(Q₂)，以及

Q₁和Q₂各自独立地选自氢、氘、C₁-C₂₀烷基、C₂-C₁₀烯基、C₂-C₁₀炔基、和C₁-C₂₀烷氧基。