[发明专利]一种低电阻泡沫金属的制备方法有效
| 申请号： | 201810208886.7 | 申请日： | 2018-03-14 |
| 公开（公告）号： | CN108300969B | 公开（公告）日： | 2020-02-25 |
| 发明（设计）人： | 闫焉服;王广欣;傅山泓;杨文玲;高志廷;吴丹凤 | 申请（专利权）人： | 河南科技大学 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/20 |
| 代理公司： | 洛阳公信知识产权事务所(普通合伙) 41120 | 代理人： | 魏新培 |
| 地址： | 471000 河*** | 国省代码： | 河南;41 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 电阻 泡沫 金属 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种低电阻泡沫金属的制备方法，其特征在于：以聚氨酯泡沫为骨架，在聚氨酯泡沫上采用磁控溅射工艺制备Ni-Al-Ni三层结构复合膜，其中，聚氨酯泡沫骨架上Ni-Al-Ni复合膜的厚度为20~30μm；制备方法包括以下步骤：
步骤一、取聚氨酯泡沫进行预处理：清洗，并在KOH溶液中浸泡10~20min，然后采用去离子水清洗后，置于酒精中超声波清洗3~5min；
步骤二、在磁控溅射镀膜机上安装两块Al靶材，一块Ni靶材；
步骤三、以步骤一的聚氨酯泡沫为基片，在聚氨酯泡沫上镀打底Ni膜层；之后在打底Ni膜层上镀Al膜层，并在Al膜层上镀外Ni膜层；采用磁控溅射镀膜机镀Ni的参数为：功率为200~300W，气压为0.5~1Pa，偏压为50~200W；采用双靶磁控溅射共沉积法镀Al膜层，功率为300~500W，气压为0.5~1Pa，偏压为50~200W，时间为6h。
2.根据权利要求1所述的一种低电阻泡沫金属的制备方法，其特征在于：步骤三中，打底Ni膜层和外Ni膜层的厚度均为50~100nm。
3.根据权利要求1所述的一种低电阻泡沫金属的制备方法，其特征在于：设定自动工艺，功率每隔1h，直流电源有30~50W的上下移动。
4.根据权利要求1所述的一种低电阻泡沫金属的制备方法，其特征在于：双靶磁控溅射共沉积法的真空度保持在4.0×10-5 Pa以下。
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