[发明专利]基于结晶弛豫结构的固态发光器件在审

专利信息
申请号: 201810208997.8 申请日: 2011-10-20
公开(公告)号: CN108198749A 公开(公告)日: 2018-06-22
发明(设计)人: A.R.巴肯恩德;M.A.维斯楚尤伦;G.伊明克 申请(专利权)人: 皇家飞利浦电子股份有限公司
主分类号: H01L21/02 分类号: H01L21/02;H01L27/15;H01L33/06;H01L33/08;H01L33/24
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人: 孙之刚;陈岚
地址: 荷兰艾*** 国省代码: 荷兰;NL
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摘要:
搜索关键词: 掩模层 生长表面 开口 暴露 固态发光器件 基底结构 量子阱层 生长基 衬底 弛豫 光源 展示 生长 制造
【权利要求书】:

1.一种用于制造具有多个光源的固态发光器件的方法,所述方法包括以下步骤:

提供具有生长表面(204)的衬底(201);

在所述生长表面上提供掩模层(205),所述掩模层具有多个开口(206),通过所述多个开口(206),暴露所述生长表面(204),其中,所述开口(206)中的每一个的最大横向尺寸小于0.3 μm,以及其中,所述掩模层(205)包括第一掩模层部分(302)和第二掩模层部分(303),所述第一掩模层部分(302)和所述第二掩模层部分(303)中的每一个包括暴露所述生长表面(204)的多个开口(206),

其中,所述第一掩模层部分(302)展示出所述生长表面(204)的暴露面积与所述生长表面(204)的未暴露面积之间的第一比率,以及其中,所述第二掩模层部分(303)展示出所述生长表面(204)的暴露面积与所述生长表面(204)的未暴露面积之间的第二比率,所述第二比率大于所述第一比率;

在所述掩模层(205)的所述开口(206)中的每一个中,在所述生长表面(204)上生长至少部分结晶弛豫的基底结构(207);以及

在所述基底结构(207)中的每一个的表面上生长至少一个光生成量子阱层(208),

其中,所述至少一个光生成量子阱层(208)对应于所述第一掩模层部分(302)的部分的厚度大于所述至少一个光生成量子阱层(208)对应于所述第二掩模层部分(303)的部分的厚度,

其中,所述多个开口具有基本上相同的尺寸,以及其中,相邻开口之间的距离在所述第二掩模层部分(303)中比在所述第一掩模层部分(302)中更小,以及

其中,所述多个开口(206)中的每一个开口具有多边形形状,其中,所述开口的至少一个边与所述生长表面(204)的结晶取向基本上平行地对准。

2.根据权利要求1所述的方法,其中,所述开口是六边形的。

3.根据权利要求1所述的方法,还包括以下步骤:在所述基底结构中的每一个的光生成量子阱层(207)上提供第一接触结构,并提供与该基底结构电接触的第二接触结构。

4.根据权利要求3所述的方法,其中,提供第一接触结构的步骤包括以下步骤:

在所述光生成量子阱层(208)的表面上生长电荷载流子限制层(209);

在所述电荷载流子限制层(209)的表面上提供导电层(210);以及

提供与所述导电层的接触。

5.根据权利要求1所述的方法,其中,所述提供掩模层(205)的步骤包括以下步骤:

将掩模层材料沉积在所述生长表面上;以及

选择性地移除掩模层材料以形成所述开口(206)。

6.根据权利要求5所述的方法,其中,所述选择性地移除的步骤包括以下步骤:

通过经由纳米压印在所述掩模层(205)中产生多个凹坑,对所述掩模层(205)进行图案化;以及

通过相对于所述生长表面材料选择性地蚀刻所述掩模层材料,在所述凹坑的底部处移除所述掩模层材料,以形成暴露所述生长表面(204)的所述开口(206)。

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