[发明专利]基于结晶弛豫结构的固态发光器件在审
申请号: | 201810208997.8 | 申请日: | 2011-10-20 |
公开(公告)号: | CN108198749A | 公开(公告)日: | 2018-06-22 |
发明(设计)人: | A.R.巴肯恩德;M.A.维斯楚尤伦;G.伊明克 | 申请(专利权)人: | 皇家飞利浦电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02;H01L27/15;H01L33/06;H01L33/08;H01L33/24 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 孙之刚;陈岚 |
地址: | 荷兰艾*** | 国省代码: | 荷兰;NL |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 掩模层 生长表面 开口 暴露 固态发光器件 基底结构 量子阱层 生长基 衬底 弛豫 光源 展示 生长 制造 | ||
1.一种用于制造具有多个光源的固态发光器件的方法,所述方法包括以下步骤:
提供具有生长表面(204)的衬底(201);
在所述生长表面上提供掩模层(205),所述掩模层具有多个开口(206),通过所述多个开口(206),暴露所述生长表面(204),其中,所述开口(206)中的每一个的最大横向尺寸小于0.3 μm,以及其中,所述掩模层(205)包括第一掩模层部分(302)和第二掩模层部分(303),所述第一掩模层部分(302)和所述第二掩模层部分(303)中的每一个包括暴露所述生长表面(204)的多个开口(206),
其中,所述第一掩模层部分(302)展示出所述生长表面(204)的暴露面积与所述生长表面(204)的未暴露面积之间的第一比率,以及其中,所述第二掩模层部分(303)展示出所述生长表面(204)的暴露面积与所述生长表面(204)的未暴露面积之间的第二比率,所述第二比率大于所述第一比率;
在所述掩模层(205)的所述开口(206)中的每一个中,在所述生长表面(204)上生长至少部分结晶弛豫的基底结构(207);以及
在所述基底结构(207)中的每一个的表面上生长至少一个光生成量子阱层(208),
其中,所述至少一个光生成量子阱层(208)对应于所述第一掩模层部分(302)的部分的厚度大于所述至少一个光生成量子阱层(208)对应于所述第二掩模层部分(303)的部分的厚度,
其中,所述多个开口具有基本上相同的尺寸,以及其中,相邻开口之间的距离在所述第二掩模层部分(303)中比在所述第一掩模层部分(302)中更小,以及
其中,所述多个开口(206)中的每一个开口具有多边形形状,其中,所述开口的至少一个边与所述生长表面(204)的结晶取向基本上平行地对准。
2.根据权利要求1所述的方法,其中,所述开口是六边形的。
3.根据权利要求1所述的方法,还包括以下步骤:在所述基底结构中的每一个的光生成量子阱层(207)上提供第一接触结构,并提供与该基底结构电接触的第二接触结构。
4.根据权利要求3所述的方法,其中,提供第一接触结构的步骤包括以下步骤:
在所述光生成量子阱层(208)的表面上生长电荷载流子限制层(209);
在所述电荷载流子限制层(209)的表面上提供导电层(210);以及
提供与所述导电层的接触。
5.根据权利要求1所述的方法,其中,所述提供掩模层(205)的步骤包括以下步骤:
将掩模层材料沉积在所述生长表面上;以及
选择性地移除掩模层材料以形成所述开口(206)。
6.根据权利要求5所述的方法,其中,所述选择性地移除的步骤包括以下步骤:
通过经由纳米压印在所述掩模层(205)中产生多个凹坑,对所述掩模层(205)进行图案化;以及
通过相对于所述生长表面材料选择性地蚀刻所述掩模层材料,在所述凹坑的底部处移除所述掩模层材料,以形成暴露所述生长表面(204)的所述开口(206)。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于皇家飞利浦电子股份有限公司,未经皇家飞利浦电子股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201810208997.8/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:基板处理装置
- 下一篇:一种砷化镓晶圆的光刻工艺
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造