[发明专利]一种微纳模具型槽的制备方法在审
| 申请号： | 201810209247.2 | 申请日： | 2018-03-14 |
| 公开（公告）号： | CN108439329A | 公开（公告）日： | 2018-08-24 |
| 发明（设计）人： | 闫焉服;杨文玲;王广欣;高志廷;傅山泓;吴丹凤 | 申请（专利权）人： | 河南科技大学 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00 |
| 代理公司： | 洛阳公信知识产权事务所(普通合伙) 41120 | 代理人： | 魏新培 |
| 地址： | 471000 河*** | 国省代码： | 河南;41 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 模具型槽 膜层 制备 等离子体增强化学气相沉积 感应耦合等离子体刻蚀机 氟化氢酸溶液 基体材料表面 热膨胀系数 耐磨性 导热系数 镀膜步骤 光刻工艺 基体材料 刻蚀步骤 氢氧化钾 图形转移 腐蚀剂 镀膜机 碱溶液 抗腐蚀 刻蚀型 光刻 掩膜 沉积 | ||
1.一种微纳模具型槽的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤一、镀膜：在等离子体增强化学气相沉积镀膜机中，采用Si片作为基体材料，在基体材料表面沉积SiC膜层；
步骤二、光刻：采用光刻工艺将掩膜的图形转移到SiC膜层上；
步骤三、刻蚀：采用感应耦合等离子体刻蚀机在SiC膜层上刻蚀型槽。
2.根据权利要求1所述的一种微纳模具型槽的制备方法，其特征在于：步骤一中，利用SiH4、CH4气体在基体材料的表面沉积SiC膜层，等离子体增强化学气相沉积镀膜机的功率设定为300~400w，气压为1~5Pa，SiH4、CH4的气体流量比为2：1~6：1。
3.根据权利要求1所述的一种微纳模具型槽的制备方法，其特征在于：步骤二包括以下工艺：
（1）、采用AZ系列光刻胶，在基体材料上匀胶；
（2）、在烘胶台上，进行光刻胶坚膜工艺；
（3）、采用曝光工艺，将掩膜版的图案转移到SiC膜层上；
（4）、采用显影工艺，对曝光后的SiC膜层进行显影。
4.根据权利要求3所述的一种微纳模具型槽的制备方法，其特征在于：步骤（1）中，匀胶厚度为2~3μm。
5.根据权利要求3所述的一种微纳模具型槽的制备方法，其特征在于：步骤（2）中，烘胶的温度为100~120℃，时间为5~10min。
6.根据权利要求3所述的一种微纳模具型槽的制备方法，其特征在于：步骤（3）中，曝光的照度设定为12~20W/cm2，曝光时间设定为30~60s。
7.根据权利要求3所述的一种微纳模具型槽的制备方法，其特征在于：步骤（4）中，显影液的温度为20~30℃，显影时间为40~60s。
8.根据权利要求1所述的一种微纳模具型槽的制备方法，其特征在于：步骤三中，在感应耦合等离子体刻蚀机的上/下电极的功率设定为550~600W/300~350W，气压设定为1~10Pa。
9.根据权利要求1所述的一种微纳模具型槽的制备方法，其特征在于：步骤三中，采用CF4、SF6、O2三种刻蚀气体对SiC膜层进行刻蚀。
10.根据权利要求9所述的一种微纳模具型槽的制备方法，其特征在于：CF4、SF6、O2混合刻蚀气体的流量的范围为20~60sccm，且CF4、SF6、O2三种刻蚀气体的流量之比依次为5：1：1~7：1：1。
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